Двусторонняя диффузия

Cтраница 1

Двусторонняя диффузия всегда приводит к симметричному легированию полупроводника. [1]

Изучена двусторонняя диффузия аминокислот: L-аргинина, L-лизина, L-аспарагиновой кислоты, L-глутаминовой кислоты, глицина и D, L, а-аланина через ионообменные мембраны МК-402С и МА-402С. Диффузия аминокислот через ионообменные мембраны подчиняется I закону Фика. Рассчитаны коэффициенты диффузии и подвижности аминокислот через ионообменные мембраны. [2]

Могут наблюдаться и случаи двусторонней диффузии при близких значениях коэффициентов диффузии твердого материала и жидкой среды. [3]

Естественно, что скорость такой двусторонней диффузии зависит от температуры. [4]

Таким образом, сульфидная коррозия осуществляется путем двусторонней диффузии атомов серы и ионов железа через слой сульфидов различного состава, покрывающих металл и образующих дырчатые решетки в широком интервале концентраций. В результате такого процесса покровная пленка растет в обе стороны: в глубь металла и наружу, а при контакте с пиритом сращивается с ним, растворяя его в себе. Высокая концентрация дырок в растворах пирротина с троилитом и широкая область их взаимной растворимости с пиритом и с железом обусловливают сильное корродирующее действие серы. [5]

Иначе говоря, и в этом случае происходит двусторонняя диффузия частиц металла и серы. С ростом содержания марганца в исходном сплаве интенсивность коррозии немного понижается, а внутренний слой окалины несколько обогащается MnS. При небольших концентрациях марганца образуется твердый раствор замещения ( Fe, Mn) S. Мп, отмечается заметное накопление его во внутреннем слое сульфидного покрова. При повышенных содержаниях марганца появляются кристаллики его сульфида. [6]

К первому типу относятся структуры, получаемые с помощью двусторонней диффузии. В пластину полупроводника с помощью диффузии вводятся с обеих поверхностей примеси, создающие в ней области с проводимостью противоположного знака по отношению к исходной проводимости. При этом в пластине получаются два перехода, граница которых повторяет по форме соответствующую поверхность пластины. Исходный полупроводник между переходами, в котором диффундирующие примеси не изменили типа проводимости, служит базовой областью транзистора. [7]

Изготовление меза-планарного транзистора с диффузионными эмиттером и коллектором. [8]

Для того чтобы в транзисторах, изготовленных с помощью двусторонней диффузии, уменьшить эффект оттеснения тока к краю эмиттера, в них можно создавать в базовой области под эмиттерным переходом слой, легированный сильнее, чем остальная часть активной базы, но слабее, чем легированный слой у поверхности пассивной базы. [9]

Наиболее распространенными являются методы односторонней диффузии по Удэну и двусторонней диффузии по Оухтерлони. Первый из методов выполняется в узких пробирках ( 0 7 - 0 9 см диаметром), в которые послойно помещают сыворотку, чистый гель и антисыворотку; после диффузии антигена и антитела, при их контакте, в агаре образуется комплекс антиген - антитело - нерастворимый преципитат. Использование антисыворотки против определенного вида белка сопровождается образованием только одного преципитационного кольца, а при применении поливалентной антисыворотки - нескольких колец. [10]

В исходной высокоомной кремниевой пластине п - при помощи двусторонней диффузии акцепторной примеси формируют р - область анода и р-область базового слоя тиристора. Затем, применяя локальную донор-ную диффузию, создают л - области катода и поверхностные участки управляющего электрода к узкой р-базе. Важным моментом является точность воспроизведения геометрических размеров каждой области, что обеспечивает идентичность характеристик отдельных ячеек. Структура на 2.52, а используется в приборах с высоким обратным напряжением близким по величине к прямому блокируемому напряжению. О бла-стью применения таких тиристоров являются преобразователи без обратных шунтирующих диодов, например управляемые выпрямители Поскольку обратное напряжение тиристора падает на анодном р - л - - пере-ходе, р - область анода выполняется однородной по всей площади ячейки. Однако это повышает падение прямых напряжений на открытой структуре ( 2.5 В) и увеличивает токи утечки. В структуре данных тиристоров через высоколегированные п - участки, сформированные в анодном слое, осуществляют распределенное шунтирование соответствующего перехода. Такие приборы не способны блокировать высокие обратные напряжения. [11]

На подложке п ( рис. 6.1, а) методом двусторонней диффузии сформированы области р и рг. Слой пг создается методом сплавления или односторонней диффузии. [12]

Механизм диффузии серебра и иода через AgJ ( по Г, В, Акимову. [13]

На рис. 104 показан механизм образования пленки йодистого серебра за счет двусторонней диффузии при действии паров йода на серебро. С утолщением слоя йодистого серебра затрудняется диффузия как серебра к йоду, так и йода к серебру. [14]

Более того, вышеперечисленные особенности процесса окисления показывают, что в такой двусторонней диффузии наиболее быстрым является перемещение железа, а не кислорода. [15]

Страницы: 1 2 3 4