Двусторонняя диффузия
Cтраница 4
 |
Взаимодействие магния с водяным паром ( вес металла 24 г, температура 600. [46] |
Результаты доказывают возможность применения металлического магния для количественного выделения водорода из водяного пара. Очевидно, образующаяся на металле пленка окиси не препятствует двусторонней диффузии газов. [47]
Вышеизложенное, а также существование в окалине градиента химического потенциала железа, заставляют отказаться от предположения об односторонней диффузии кислорода. Приведенный фактический материал показывает, что в оксидной пленке имеет место двусторонняя диффузия железа и кислорода. Последний, пройдя окалину и достигнув металла, окисляет его, а железо, двигаясь через пленку, выходит к наружной поверхности ее и превращается там в окисел. [48]
Если образующаяся на поверхности металла пленка обладает защитными свойствами, а не является просто рыхлым слоем продуктов коррозии, не затрудняющим двусторонней диффузии реагентов, то по мере роста пленки скорость окисления уменьшается. Чем более высокими защитными свойствами обладает пленка, тем меньше скорость двусторонней диффузии реагентов через нее, а следовательно, и скорость ее роста. [49]
Если образующаяся на поверхности металла пленка обладает защитными свойствами, а не является просто рыхлым слоем продукте; коррозии, не затрудняющим двусторонней диффузии реа-гептон, то по мере роста пленки скорость окисления уменьшается. Чем более высокими защитными свойствами обладает пленка, тем меньше скорость двусторонней диффузии реагентов через нее, а следовательно, и скорость ее роста. [50]
Диффузионные явления при формировании системы адгезив - субстрат весьма разообразны. К ним относятся поверхностная диффузия адгезива, самодиффузия в слое адгезива, иногда происходит объемная одно - или двусторонняя диффузия через границу раздела адгезив - субстрат. Кроме того, перечисленные процессы имеют различные механизмы. Например, различают активированную, полуактивированную и неактивированную диффузию. Ниже эти различные процессы будут рассмотрены более подробно. Часто полагают, что движущей силой диффузии является градиент концентрации. Однако перемещение, вызванное градиентом концентрации и приводящее к постепенной гомогенизации системы, не исчерпывает все возможные проявления этого сложного процесса. Весьма часто при диффузии происходит не выравнивание концентраций, а, наоборот, дальнейшее разделение компонентов системы. Поэтому более правильно считать, что движущей силой диффузии является разность термодинамических потенциалов, и перенос вещества путем диффузии сопровождается понижением свободной энергии системы. Термодинамический потенциал можно разложить на энергетическую и энтропийную составляющие. Механизм диффузии зависит от соотношения этих составляющих. В некоторых случаях внутренняя энергия системы при диффузии не изменяется, и энергетической составляющей можно пренебречь. Тогда движение молекул подчиняется вероятностным законам. [51]
К недостаткам рассматриваемых транзисторов относится также сложность технологии их изготовления. Хотя для их изготовления не требуется столь точной фотолитографической обработки, как для мощных высокочастотных транзисторов, требования к точности механической обработки пластин и к точности проведения термических процессов для транзисторов, изготовляемых с помощью двусторонней диффузии, очень высоки. [52]
Рассмотрим примеры применения этих методов изоляции в биполярных ИС и прежде всего в биполярных логических схемах ТТЛ ( транзисторно-транзисторной логики) с изоляцией pn - переходом. В контакте Шоттки, вообще говоря, применяется А1, но использование PtSi2 предпочтительнее из технологических соображений. Самым последним примером изоляции двусторонней диффузией является усовершенствованный процесс самосовмещения с применением нитрида, изображенный на рис. 5.11. Он основан на использовании биполярной технологии. На рисунке показано поперечное сечение структуры БИС для широкого применения в цифро-аналоговых смешанных схемах. [54]
Страницы: 1 2 3 4