Двусторонняя диффузия

Cтраница 2

В транзисторе, в котором эмиттерная и коллекторная области получены с помощью одновременной двусторонней диффузии, отвод тепла также наиболее естественно выполняется через коллектор. [16]

Дело в том, что структура сплавных транзисторов и транзисторов, изготовленных способом двусторонней диффузии, такова, что пространственный заряд коллекторного перехода расширяется в них в базовую область. Поэтому толщина базовой области между эмиттером и коллектором у этих типов приборов велика и, как правило, составляет 20 - 60 мк. [17]

Изменение веса хромистых сталей, хромоникелевых и нихромов в зависимости от температуры окисления в атмосфере воздуха при длительности испытания 200 час. [18]

Защитное действие некоторых окиеных пленок связано с образованием тугоплавких и стойких окислов, препятствующих двусторонней диффузии металлических и кислородных атомоь. [19]

Зависимость пробивного напряжения для плавного перехода в германии и кремнии от градиента концентрации. [20]

В последней работе, кроме того, рассчитано напряжение прокола для транзисторов, изготовленных путем двусторонней диффузии. [21]

Распределение примесей в р-п - р структуре, полученной методом двусторонней диффузии. [22]

Структуры, полученные двойной односторонней диффузией, нашли более широкое распространение, так как в отличие от двусторонней диффузии при создании этих структур для получения очень тонких базовых слоев не требуется особо точной шлифовки исходной пластины, да и относительная точность проведения самих диффузионных процессов в случае односторонней диффузии может быть меньшей. [23]

В рассмотренном примере частицы растворителя и растворенного вещества диффундируют в противоположных направлениях Такой случай называется встречной или двусторонней диффузией Иначе будет обстоять дело, если между двумя растворами помес тить перегородку, через которую растворитель может проходи 1 а растворенное вещество - не может. Такие, перегородки, получи шие название полупроницаемых, существуют в природе, также могут быть получены искусственно. Например, если проп тать глиняный пористый цилиндр раствором медного купороса, затем погрузить его в раствор гексациано - ( П) феррата калк ( K4 [ Fe ( CN) al) iTO в порах цилиндра осядет гаксациано - ( П) феррат меди. Обработанный таким образом цилиндр обладает свойствами полупроницаемой перегородки: через его стенки могут проходить молекулы воды, но для молекул растворенного вещества они непроницаемы. [24]

В настоящее время наибольшие рабочие токи, кроме сплавных германиевых транзисторов, имеют кремниевые транзисторы, изготовленные с помощью двусторонней диффузии. [25]

Если образующаяся на поверхности металла пленка обладает защитными свойствами, а не является просто рыхлым слоем продуктов коррозии, не затрудняющим двусторонней диффузии реагентов, то по мере роста пленки скорость окисления уменьшается. Чем более высокими защитными свойствами обладает пленка, тем меньше скорость двусторонней диффузии реагентов через нее, а следовательно, и скорость ее роста. [26]

Механизм диффузии серебра и иода через A J ( по Г. В. Акимову. [27]

Если образующаяся на поверхности металла пленка обладает защитными свойствами, а не является просто рыхлым слоем продукте; коррозии, не затрудняющим двусторонней диффузии реа-гептон, то по мере роста пленки скорость окисления уменьшается. Чем более высокими защитными свойствами обладает пленка, тем меньше скорость двусторонней диффузии реагентов через нее, а следовательно, и скорость ее роста. [28]

При изготовлении солнечных элементов с таким переходом применен упрощенный метод, так называемый способ диффузии через сплав, в соответствии с которым сначала проводят двустороннюю диффузию пластин p - Si, а затем осуществляют диффузию пленки А1, осажденной термическим испарением в высоком вакууме на тыльную сторону пластины, через тыльный л-слой до формирования р - слоя толщиной 1 мкм. [29]

Явление прокола, которое также ограничивает рабочее напряжение транзисторов, заключается в том, что при подаче напряжения на коллекторный переход транзистора ( полученного путем сплавления или двусторонней диффузии) область пространственного заряда, расширяясь в базу, может достигнуть эмиттерного перехода. При этом входное сопротивление неограниченно возрастает и транзистор теряет усилительные свойства. [30]

Страницы: 1 2 3 4