Дефект - кристалл
Cтраница 1
 |
Схема соединения.| Соединение труб из винипласта. [1] |
Дефекты кристаллов должны быть отнесены к аморфной составляющей полимера, но поскольку они являются составной частью кристалла и не могут быть от него отделены, они не являются фазой. Единичные глобулы представляют собственно аморфную фазу кристаллического полимера, поскольку они могут быть изолированы. [2]
 |
Изменение высоты потенциальной ступени и ширины перехода при подаче напряжения. [3] |
Дефект кристалла, могущий служить как местом рекомбинации, так местом рождения дырки, называют рекомбинаиионным центром. [4]
Дефекты кристалла оказывают на теплопроводность двоякое влияние. Прежде всего они могут способствовать увеличению теплопроводности. Это происходит в том случае, когда дефекты, перемещаясь в температурном градиенте, в той или иной форме переносят энергию. [5]
Дефекты кристалла типа дислокации, границ зерен и микротрещин обладают избыточной поверхностной энергией. Поскольку при адсорбции поверхностно-активных веществ поверхностное натяжение уменьшается, то соответственно возрастает поверхность этих дефектов, так что полная энергия поверхностного слоя, равная произведению поверхностной энергии на площадь поверхности ( см. (34.12)), остается неизменной. Рост поверхностей дефектов, естественно, приводит к уменьшению прочности тела. [6]
Дефектами кристаллов называют нарушения идеальной кристаллической структуры. Такое нарушение может заключаться в отсутствии атома в узле решетки ( вакансия), в замене атома данного вещества ( своего атома), чужим атомом ( атомом примеси), во внедрении лишнего атома ( своего или чужого) в межузельное пространство. Подобные дефекты называются точечными. Они вызывают нарушения правильности решетки, распространяющиеся на расстояния порядка нескольких периодов. [7]
Такие дефекты кристаллов являются внерешеточными дефектами, или макродефектами. Дефекты в кристаллических решетках называются внутрирешеточными, или микродефектами. К последним относятся дефекты механические, электрические и вызванные примесями. Механические ( физические) дефекты обусловлены отсутствием атомов в отдельных узлах или, наоборот, появлением лишних в пространстве между узлами. Электрические дефекты вызываются аномальными зарядами части составляющих решетку ионов. Такие дефекты могут возникать под влиянием теплоты или облучения. Нарушения, вызываемые примесями, характеризуются замещением отдельных узлов атомами или ионами посторонних веществ или внедрением этих атомов между узлами решетки. [8]
Однако вследствие дефектов кристалла или его неправильной ( несферической) формы, а также возможного возникновения одновременных отражений и некоторых других эффектов интенсивность луча при таком повороте может колебаться. Указанное вращение позволяет проанализировать причины непостоянства интенсивности и ( или) нивелировать погрешности, связанные с неправильной формой кристалла и возникновением одновременных отражений. [9]
Из-за наличия дефектов кристаллов в кристаллических областях полимеров ( разд. [10]
Однако вследствие дефектов кристалла или его неправильной ( несферической) формы, а также возможного возникновения одновременных отражений и некоторых других эффектов интенсивность луча при таком повороте может колебаться. Указанное вращение позволяет проанализировать причины непостоянства интенсивности и ( или) нивелировать погрешности, связанные с неправильной формой кристалла и возникновением одновременных отражений. [11]
Оба эти дефекта кристаллов стехиометриче-ского состава являются причиной смещения соседних атомов или ионов решетки; это смещение будет определяться зарядом, размером атома или иона. [12]
Дислокации являются дефектами кристаллов, они окружены зоной напряжений, которая, как правило, охватывает 3 - 6 межатомных расстояний. Ямки травления, образующиеся в точках, выхода дислокаций, занимают области порядка 104 - 105 межатомных расстояний, так что возможно наблюдение их в световой микроскоп. Главная трудность определения дислокаций заключается в том, что не все ямки травления соответствуют дислокациям и, наоборот, не каждая дислокация отмечается ( декорируется) ямкоа травления. Шмидтман и Клернер [1] приводят ряд явлений, которые наблюдают, если причиной выявления ямок травления, является наличие дислокаций. [13]
Дислокации - не единственные дефекты кристалла; известны также вакансии и межузельные атомы, образующиеся при переходе атома из узла кристаллической решетки в пространство между узлами. Межузельные атомы образуются в кристалле самопроизвольно, вследствие термических флуктуации. Дислокации, наоборот, не исчезают с уменьшением температуры. Можно считать, что число дислокаций с изменением температуры меняется незначительно, если только температура достаточно удалена от температуры плавления. При приближении к точке плавления число дислокаций быстро уменьшается. Дислокации не возникают в кристалле сами по себе, они образуются в процессе образования кристалла или в результате внешнего воздействия на кристалл. Дислокации являются важными характеристиками кристаллического состояния. [14]
Существующие методы изучения дефектов кристаллов подробно изложены Крегером. [15]
Страницы: 1 2 3 4