Дефект - кристалл
Cтраница 4
В структуре льда I помимо молекул Н2О содержится малая доля ионизационных дефектов кристалла, определяющих его электропроводность. [46]
Существует, однако, предел глубины ловушки, которая создается дефектом кристалла. Оценка предельной глубины ловушки дает величину порядка 0 5 эВ ( см. разл. В случае антрацена, в котором энергия синглетного экситона равна 3 15 эВ, ширина энергетической щели - 4эВ, распад экситона на дефекте не освободит достаточное количество энергии для диссоциации с образованием свободных носителей. Если поверхность кристалла находится в контакте с металлическим электродом, то высокая поляризуемость металла может обеспечить достаточное количество энергии для углубления ловушки до значения, достаточного для диссоциации. Последующие соударения экситонов с поверхностью могут освободить захваченный заряд. [48]
 |
Зависимость количества водорода, выделяющегося из электролитического осадка, от температуры. [49] |
Диффузия водорода протекает разными путями ( по границам зерен, через дефекты кристаллов и решетку), что обусловливает различные формы существования водорода в металле. Наличие различных форм существования водорода в металле подтверждается различными величинами коэффициентов диффузии. Различные формы связи водорода с металлами могут быть обнаружены при исследовании скорости удаления водорода из осадка при нагревании в вакууме. [50]
ДОНОР ( donor; donnear; Donalor, Donor) - дефект кристалла, у к-рого в нейтральном состоянии все локальные уровни заняты электронами. Переход электронов с доиорных уровней в зону проводимости приводит к образованию электронной проводимости. [52]
ДОНОР ( donor; donneur; Donator, Donor) - дефект кристалла, у к-рого в нейтральном состоянии все локальные уровни заняты электронами. Переход электронов с донорных уровней в зону проводимости приводит к образованию электронной проводимости. [54]
Диспергирование происходит под влиянием напряжений, создаваемых полимерными цепями в местах дефектов кристалла. [55]
Страницы: 1 2 3 4