Дефект - кристалл
Cтраница 2
Различают два вида дефектов кристалла: точечные ( по нашей терминологии, дефекты 1-го рода), охватывающие один-два структурных узла или междуузлияв элементарной ячейке, и протяженные ( по нашей терминологии, дефекты 2-го рода) - дислокации, трещины, микрокаверны. [16]
Различают два вида дефектов кристалла: точечные ( по терминологии автора, дефекты 1-го рода), охватывающие один-два структурных узла или междуузлия в элементарной ячейке, и протяженные ( по терминологии автора, дефекты 2-го рода) - дислокации, трещины, микрокаверны. [17]
При сопоставлении теории дефектов кристаллов с опытным материалом ( не только в катализе, но и для других структурно-чувствительных свойств) постоянно приходится сталкиваться со следующим противоречием общего порядка. [18]
Еще один тип дефектов кристаллов представлен в не-стехиометрических соединениях. Это соединения, которые никогда не имеют своего идеального состава. Как это ни странно, но таким примером может служить сульфид железа. Он имеет переменный состав и всегда содержит больше атомов серы, чем железа, несмотря на тщательное его приготовление и очистку. Некоторые из положений железа в кристалле остаются вакантными, и, для того чтобы создать необходимый положительный заряд, часть из атомов железа должна находиться в окисной, а не в закисной форме. [19]
В результате происходит образование дефектов кристаллов в виде вакансий и междоузлий. Начиная с определенной величины радиационных дефектов ста - новятся заметными изменения механических, физических, химических и других свойств конструкционных металлических или керамических материалов. [20]
Рассмотрим, какое влияние оказывают дефекты кристалла на его прочность. [21]
Тепловая энергия также может вызвать дефект кристалла. Рассмотрим, какое значение имеет тепловая энергия в том случае, когда она связана с движением избыточного электрона, который или янъектирован в кристалл или произведен внутри кристалла. Тепловая энергия также играет важную роль при создании пар электрон - дырка. Средняя тепловая энергия фонона при комнатной температуре является недостаточной для того, чтобы вызвать дефекты в кристалле. Однако распределение тепловой энергии среди индивидуальных фононов имеет вид функции распределения Максвелла-Больцмана, и малый процент фононов обладает достаточно высокими энергиями, чтобы разорвать ковалент-ную связь. Эти: фононы высокой энергии, поглощаемые в кристалле и разрывающие ковалентную связь, производят пары электрон - дырка таким же образом, как и падающая световая энергия. Заметим, что тепловая энергия так же, как и световая энергия, создает электроны и дырки в одинаковых количествах, так как электроны и дырки создаются в парах электрон - дырка. [22]
К двухмерным ( плоскостным) дефектам кристаллов относятся границы между зернами кристаллов, внешняя поверхность кристалла и ряды линейных дислокаций. Кроме того, реальный кристалл состоит из большого числа малых блоков, немного дезориентированных друг относительно друга. [23]
Метод травления, использующийся для обнаружения дефектов кристаллов, основан на большей реакционной способности или растворимости менее совершенного кристаллического вещества или аморфных частей образца. [24]
 |
Возникновение и перемещение дислокации в процессе сдвига.| Взаимодействие двух движущихся дислокаций в кристалле. [25] |
Дислокации могут возникнуть в местах скопления дефектов кристалла. Как и точечные дефекты, дислокации могут перемещаться в кристалле. [26]
Метод травления, использующийся для обнаружения дефектов кристаллов, основан на большей реакционной способности или растворимости менее совершенного кристаллического вещества или аморфных частей образца. [27]
Однако близость спектральных характеристик льдов с дефектами кристалла и без дефектов показывает, что процессы переходов протонов от молекулы к молекуле не определяют водородную связь во льдах и воде. [28]
Стабилизации статических искажений могут способствовать и некоторые дефекты кристалла, например катиошше вакансии, при благоприятном упорядочении которых в окрестности ЯТ-иона определенное направление искажения становится предпочтительным и может стабилизироваться. Таким же образом может влиять и способность прилегающей части кристалла приспосабливаться к искажению путем перегруппировки ионов пли пх валентностей. [29]
Противоречие устраняется, если учесть [17, 18] такие дефекты кристалла, которые обеспечивают непрерывное возобновление атомных ступенек и искажений идеальной структуры. Здесь рост кристалла происходит путем простого присоединения атомов к ступеньке ВС. При этом последняя поворачивается вокруг точки В. Полный оборот вблизи этой точки требует осаждения меньшего числа частиц, чем вдали от нее. [30]
Страницы: 1 2 3 4