Дефект - шоттка
Cтраница 1
 |
Схема изменения каталитической активности в зависимости от прочности связи кислорода в окислах металлов по Ринекеру. [1] |
Дефект Шоттки - когда в решетке не занят какой-нибудь узел, например в решетке ZnO отсутствует ион цинка или кислорода. [2]
 |
Структурные дефекты. [3] |
Дефекты Шоттки встречаются чаще. Вообще всякие дефекты в структуре кристаллической решетки приводят к увеличению потенциальной энергии ее, что представляет особый интерес для теоретического гетерогенного катализа. В развитие этого вопроса на основе теории полупроводников большой вклад внесен С. [4]
 |
Дефекты Шоттки и Френкеля в кристаллах. [5] |
Дефект Шоттки - это вакансия, образующаяся, когда атом уходит со своего места в решетке на наружную поверхность кристалла. [6]
 |
Дефекты Шоттки и Френкеля в кристаллах. [7] |
Дефект Шоттки - это вакансия, образующаяся, когда атом уходит со своего места в решетке на наружную поверхность кристалла. [8]
 |
Структурные дефекты кристалла. [9] |
Дефекты Шоттки встречаются чаще. Вообще всякие дефекты в структуре кристаллической решетки приводят к увеличению потенциальной энергии ее, что представляет особый интерес для теоретического гетерогенного катализа. В развитие этого вопроса на основе теории полупроводников большой вклад внесен С. [10]
Дефект Шоттки: Кп - Аа - пара из катионной и анионной вакансий. Этот дефект часто встречается в щелочно-галоидных кристаллах. Наличие дефектов Шоттки уменьшает плотность кристалла, поскольку атом, образовавший вакансию, диффундирует на поверхность кристалла. [11]
Дефект Шоттки обусловлен переходом иона из узла на поверхность кристалла, в результате узел оказывается вакантным, образуется дырка. Обычно дефекты Френкеля возникают в том случае, когда размеры катионов и анионов значительно различаются, вследствие этого образуются заметные пространства между узлами. Если анионы и катионы имеют приблизительно одинаковые размеры, следует ожидать появления дефектов Шоттки. [12]
Согласно определению дефект Шоттки образован перемещением атома из нормального узла в некоторое среднее положение на поверхности кристалла. Следовательно, объем кристалла растет при повышении концентрации вакансий, так как при этом увеличивается число узлов в рассматриваемом кристалле. [13]
При образовании дефектов Шоттки происходит увеличение числа узлов решетки вследствие выхода атомов из объема на поверхность. [14]
Относительное количество дефектов Шоттки и Френкеля зависит от энергии их образования; последняя частично зависит от значений поляризуемости и относительных размеров ионов. Таким образом, энергия образования дефектов значительно меньше энергии активации, необходимой для появления электронной проводимости в ионных кристаллах. [15]
Страницы: 1 2 3 4