Дефект - шоттка
Cтраница 4
В хорошо отожженном твердом теле при любой заданной температуре должно быть равновесие концентраций дефектов Шоттки и Френкеля, а относительная концентрация каждого из этих типов дефектов зависит от величины соответствующих энергий их образования. Мотт и Герни [20] вычисляли число дефектов Френкеля, находящихся в термодинамическом равновесии при температуре Т, следующим образом. Пусть N означает число однотипных атомов, имеющихся в кристалле, a N - общее число возможных мест в междоузлиях. [46]
Однако все реальные ионные кристаллы обладают конечной проводимостью, что связано с наличием термически активированных дефектов Шоттки и Френкеля. [47]
 |
Дырочная модель. [48] |
Дырочная модель отличается от квазирешеточной тем, что в ней дырки не являются дефектами Шоттки в узлах квазирешетки, а возникают вследствие флуктуации плотности и распределены по объему жидкости беспорядочно. [49]
Благодаря этому решения системы уравнений оказываются совершенно аналогичными рассмотренным выше для равновалентного-кристалла с дефектами Шоттки. [50]
Существование точечных дефектов в кристаллах обусловлено наличием в структуре вакансий - незанятых позиций ( дефекты Шоттки) или смещением ионов из узла решетки ( дефекты Френкеля), когда образуется сразу два дефекта: вакансия и межузельный атом. [51]
Кривые для зависимости концентраций антиструктурных дефектов от 6 идут более полого, чем для дефектов Шоттки или Френкеля; наклон асимптот, изображенных пунктирными прямыми на рис. 3.1, для антиструктурных дефектов вдвое меньше, чем для дефектов Шоттки и Френкеля. Такое различие обусловлено следующим. В случае же антиструктурных дефектов половина избыточного компонента размещается в узлах собственной подрешетки и только оставшаяся половина расходуется на образование дефектов. [52]
Дырочная модель ионного расплава отличается от квазикристаллической тем, что дырки здесь не являются дефектами Шоттки, сохраняющими симметрию, напоминающую кристаллическую решетку, а распределены совершенно беспорядочно. Беспорядочность распределения дырок связана с флук-туациями плотности ионного расплава. [53]
 |
Энергии образования дефектов Шоттки Ws, Френкеля WF и антцфренкелевских дефектов WAF в ионных кристаллах ( в эВ. [54] |
В кристаллах галогенидов щелочных металлов энергии образования френкелевских и антифренкелевских дефектов значительно выше, чем дефектов Шоттки ( табл. 5.2), поэтому разупорядоченность Шоттки для этих соединений при стехио-метрическом составе является доминирующей. [55]
Эти кривые идут значительно более полого, чем кривые / и 2 для кристаллов с дефектами Шоттки или Френкеля, поэтому те же отклонения химических потенциалов от стандартных значений достигаются при более высоких концентрациях антиструктурных дефектов, нежели дефектов Шоттки и Френкеля. [56]
Электролитической проводимостью, наблюдаемой при повышенных температурах, близких к температуре плавления, почти исключительно обладают дефекты Шоттки. [57]
Уже давно известны твердые электролиты, электропроводность которых обусловлена ионными дефектами кристаллической решетки: дефектами Френкеля и дефектами Шоттки. [58]
Тот факт, что эти соединения считаются при температуре плавления легко разлагающимися вследствие высокого давления паров сурьмы ( дефект Шоттки), позволяет выбирать между двумя видами по знаку диполя Al-Sb, сообразному ковалентной формуле, а следовательно, отрицательному эффективному заряду. [59]
В табл. 6.1 представлены экспериментальные значения энергии активации миграции основных дефектов для наиболее хорошо изученных ионных кристаллов с дефектами Шоттки, Френкеля и антифренкелевскими. [60]
Страницы: 1 2 3 4