Дефект - шоттка
Cтраница 3
Пусть U - энергия, необходимая для образования дефекта Шоттки, п - число вакантных узлов решетки, а N - число узлов решетки, занятых атомами. [31]
Пусть U - энергия, необходимая для образования дефекта Шоттки, п - число вакантных узлов решетки, а N - число узлов решетки. [32]
Из уравнения видно, что с увеличением температуры число дефектов Шоттки растет по экспоненциальному закону. [33]
Стасева [1] и др. работы указывают на возможность значительной концентрации дефектов Шоттки. [34]
Мы рассмотрели подробно решение системы уравнений для разновалентного кристалла с дефектами Шоттки. Для кристаллов с различными валентностями катионов и анионов система сводится к уравнениям, более сложным, нежели квадратное, и в общем случае не имеет аналитического решения. [35]
 |
Схема дефектов кристалли - [ IMAGE ] Схема дефектов кристаллической решетки NaCl по Шоттки. ческой решетки AgBr по Я. И. Френ. [36] |
Сюда относятся наличие в кристалле незанятых мест в узлах решетки ( дефект Шоттки) или, наоборот, наличие между узлами решетки лишних атомов ( ионов, молекул), оставивших незанятыми другие места невдалеке ( дефект Френкеля), или замещение атомов данного вида другими. Все эти нарушения, кроме того, что приводят к дефекту структуры кристалла, могут изменять и его химический состав и в известной степени характер связи между частицами. К этому надо добавить, что и последующие условия существования кристалла могут изменять его структуру. Например, высокие температуры облегчают различные процессы перекристаллизации. Внедрение в решетку кристалла посторонних атомов или замещение ими своих атомов может происходить и после образования кристалла. Явление диффузии хотя и очень замедлены в кристаллах, однако не исключены полностью, в особенности при повышенных температурах. За счет диффузии в решетку многих металлов могут внедряться посторонние атомы небольших размеров ( например, N, С), образуя в поверхностных слоях соответствующие соединения или растворы. [37]
 |
Области гомогенности некоторых полупроводниковых соединений. [38] |
Даже в случае возникновения в кристалле соединения парных дефектов, например дефектов Шоттки, не вызывающих отклонения от стехиометрического отношения компонентов, комбинация их с другими дефектами структуры может вызвать донорный или акцепторный эффект. Так, совокупность дефектов Шоттки и антиструктурных дефектов в кристалле теллурида свинца РЬТе проявляется в возникновении трехзарядного акцептора. [39]
В общем случае в кристалле могут быть и дефекты Френкеля, и дефекты Шоттки, причем преобладают те, для образования которых требуется меньшая энергия. [40]
Какие из перечисленных дефектов является точечными: дефект Френкеля, дислокация, дефект Шоттки, дисклинация, вакансия. [41]
Видно, что энергия собственного разупорядочения в ионном кристалле ( энергия образования дефектов Шоттки Ws) играет ту же роль, что и энергия собственной ионизации ( ширина запрещенной зоны Ес-Ен) в полупроводнике, а энергия диссоциации комплекса аналогична энергии ионизации доноров или акцепторов. [42]
 |
Точечные дефекты кристаллической решетки, вызванные чужеродными атомами ( В, D, замещающими собственные ( А, при соотношении радиусов rArB ( a urArD ( 6. [43] |
В ионных кристаллах точечные дефекты возникают парами: две вакансии противоположного знака - дефект Шоттки; межузельный ион и оставленная им вакансия - дефект Френкеля. [44]
Таким образом, изучение только одного физического свойства различных кристаллов не объясняет влияния дефектов Шоттки на это свойство. [45]
Страницы: 1 2 3 4