Нейтральный дефект

Cтраница 1

Постоянная Холла при 77 К для кристаллов HgTe, отожженных при различных температурных условиях и давлении ртути ( Родо. [1]

Нейтральные дефекты [173] совсем мало изучены, в частности при больших отклонениях от стехиометрии их концентрация может превышать концентрацию ионизованных дефектов. [2]

Если заряженные или нейтральные дефекты распределены по всем доступным для них местам решетки, то возникнет такое положение, когда некоторые дефекты окажутся в соседних узлах решетки и образуют так называемые ассо-циаты. Как правило, физические свойства ассоциатов отличны от суммы свойств образующих их простых дефектов. Поэтому ассоциаты целесообразно рассматривать как новую разновидность дефектов решетки. В дальнейшем они обозначаются заключенными в круглые скобки комбинированными символами, использованными для простых дефектов. [3]

Очевидно, что нейтральный дефект представляет собой ассоциат. [4]

Ассоциация двух F-цептров в NaCl. [5]

Следовательно, ассоциация нейтральных дефектов возможна, поскольку энергия связи в этом случае даже больше, чем при взаимодействии заряженных дефектов. [6]

Следовательно, концентрации нейтральных дефектов V и М постоянны при данных внешних условиях. [7]

Образованию ассоциатов из одиночных нейтральных дефектов способствует большая энергия связи. [8]

Изменение концентраций дефектов в кристаллах MX в зависимости от. [9]

Напомним, что концентрации нейтральных дефектов [ BiPb ], [ V j и [ У ] незави-сят от электронных равновесий и фиксируются в соответствии со значением парциальных давлений во внешней фазе. [10]

Кластеры образуются также из нейтральных дефектов, и это можно рассматривать как начальную стадию выделения новой фазы. Например, атомарный кислород, расположенный в междоузлии решеток германия и кремния, связывает два соседних узла. При нагревании в соответствующих условиях он образует тетраэдр ические кластеры и становится донором электронов, хотя непосредственно в кремнии удалось наблюдать лишь атомарный кислород. [11]

Рассмотрим теперь образование агрегатов из нейтральных дефектов. Новые представления о природе устойчивого скрытого изображения были развиты на основе предположения, что F-центры могут образовывать плоскостные внутренние агрегаты, приобретающие положительный заряд по достижении определенных критических размеров. [12]

Таким образом, в противоположность нейтральным дефектам М и VM концентрации заряженных дефектов не являются константами и зависят от присутствия других дефектов. Константами оказываются произведения концентраций заряженных дефектов ( при Т const), которые аналогичны известному понятию произведение растворимости. Так же, как и в случае насыщенного раствора малорастворимой соли, это соответствует взаимосвязи между концентрациями заряженных дефектов: концентрация одних дефектов изменяется при изменении концентрации других. [13]

Схема переходов электронов и дырок при взаимодействии ловушек захвата и рекомбичационных ловушек с зонами энергии. [14]

Если произошел захват носителя заряда нейтральным дефектом, то последующий захват носителя заряда должен быть более вероятным в силу кулоновского притяжения между заряженной рекомби-национной ловушкой и носителем заряда другого знака. [15]

Страницы: 1 2 3 4