Нейтральный дефект
Cтраница 3
Выражения для концентраций дефектов в разных областях приведены в табл. XIII. Отметим, что концентрации нейтральных дефектов во всех областях остаются одними и теми же. [31]
Поэтому, как и полагалось ранее, равновесие процессов ассоциации определяется энергией образования пар заряженных дефектов. Однако во многих случаях образование пар между нейтральными дефектами может играть важную роль; при этом в общем появление ассоциатов обусловлено возникновением химической связи между дефектами. [32]
Наконец, возможно, что реакция, по крайней мере частично, протекает за счет диффузии реагентов в нейтральной форме. Этот процесс может осуществляться путем диффузии одного или двух компонентов по границам зерен или путем объемной диффузии с участием нейтральных дефектов. Такого рода объемная диффузия наблюдается для галогенидов щелочных металлов при высоких давлениях галогена ( см. разд. [33]
Как показано в [13], при воздействии света на кристаллы НЛ: Fe происходит перезарядка ионов Fe. Заряженные точечные дефекты в пьезоэлектрической среде вызывают деформации, убывающие по закону 1 / г2 [57], что в свою очередь вызывает наблюдаемое в экспериментах уширепие дифракционных максимумов. Нейтральные дефекты, согласно [57], не приводят к уширению дифракционных максимумов. [34]
Возможное решение этой системы уравнений показано на рис. XI.5. Заметим, что при прохождении через границы областей наклоны прямых, выражающих изменения концентраций заряженных дефектов, изменяются. Это соответствует изменению приближений условия электронейтральности. Однако на нейтральные дефекты указанное положение не распространяется, и отвечающие им прямые имеют одина / ювый наклон во всех областях. [35]
Ввиду того что точечные дефекты в кристаллах могут играть роль доноров или акцепторов, а отклонения от стехиометрии соответствуют повышению концентрации донорного или акцепторного дефекта, вопрос управления типом и величиной проводимости чистых полупроводниковых соединений может быть сведен к построению графика зависимости концентрации свободных носителей от условий, при которых обрабатывается или изготовляется кристалл. Отклонение от стехиометрии вызывает появление в каждом данном материале дефектов определенного типа, характеризуемых соответствующими энергиями ионизации. Концентрация же нейтральных дефектов, определяющих отклонение от стехиометрии, задается парциальными давлениями компонентов в паровой фазе, с которой взаимодействует кристалл, и температурой обработки. [36]
При более низких температурах, а также в сильно легированных полупроводниках преобладающим механизмом рассеяния является рассеяние на примесях и дефектах. Если основное рассеяние происходит на заряженных центрах - донорах или акцепторах, то в невырожденных полупроводниках т растет пропорционально Г3 / 2, так как с увеличением энергии электронов вероятность их рассеяния на таких центрах уменьшается. При рассеянии на нейтральных дефектах время релаксации т не зависит от температуры. [37]
 |
Изотермы концентраций собственных и примесных дефектов в соединении. [38] |
По мере увеличения рв концентрация BiPb в любом из указанных трех случаев увеличивается сначала пропорционально PBI ( области I, рис. XVI. Такая зависимость сохраняется до тех пор, пока величина [ Bipbl не возрастет настолько, что эти центры начнут играть преобладающую роль в условии нейтральности. Как обычно, концентрации нейтральных дефектов не зависят от изменений в приближенных уравнениях нейтральности: [ Bipt ] пропорциональна рвь a [ Vpb ] и [ V& ] остаются постоянными и имеют те же значения, что и в чистом PbS. Таким образом, кроме появления трех областей I, отвечающих разным приближенным уравнениям нейтральности, в целом картина аналогична случаю простого твердого вещества. [39]
 |
Два основных механизма проводимости. определяющие трансппрт-иые свойства полиэцети-лена. [40] |
Для того чтобы заряд мог перемещаться вдоль полимерной цепи, нужно преодолеть это электростатическое притяжение. Во втором случае происходит перескок электрона между двумя соседними цепями. При этом на одной из них появляется нейтральный дефект, а на другой - заряженный. Этот процесс обеспечивает поперечную проводимость в полимерных волокнах. [41]
Объяснение его свойств осложнено нулевым значением собственной энергии активации Wt и большим значением отношения подвижностей электронов и дырок. На рис. 40 показаны результаты отжигов. При высоких температурах отжига появляются новые дефекты. Проверено, что HgTe всегда содержит значительную концентрацию нейтральных дефектов. [42]
При этом реализуется структурно-примесный дефект, образующий миогозаряд-ный доиорный центр. As, проявляет термическую стойкость до 1770 К. Этот факт хорошо согласуется с рассматриваемой моделью центра. Электрически активный многозарядный центр типа yAsu, видимо, также меняет конфигурацию под действием температуры с образованием более стабильного электрически нейтрального дефекта. [44]
Страницы: 1 2 3 4