Нейтральный дефект

Cтраница 2

Схема переходов электронов и дырок при взаимодействии ловушек захвата и рекомбинацион-ных ловушек с зонами энергии. [16]

Если произошел захват носителя заряда нейтральным дефектом, то последующий захват носителя заряда должен быть более вероятным в силу кулоновского притяжения между заряженной ре-комбинационной ловушкой и носителем заряда другого знака. [17]

Температурная зависимость концентраций собственных дефектов в соединении АВ с дефектами по Шоттки при постоянной активности А для случая Ks Ks KI. a - Равновесные концентрации дефектов. б - отклонение от стехиометрии. [18]

Так как Ki Ks, то нейтральные дефекты в области II можно не учитывать: бц [ VA ] - [ VB ] и переход от избытка А к избытку В происходит при п р ( рис. XIII. А к избытку В определяется нейтральными вакансиями и происходит при равенстве их концентраций. [19]

Как обычно, характер изменения концентраций нейтральных дефектов одинаков во всех ] областях, причем [ SiGa ] и [ Si sl пропорциональны активности кремния asi, a [ VGa ] и [ VAS ] не зависят от asi - Концентрация нейтральных пар ( SiASSiGa) x пропорциональна a i. Поэтому при больших концентрациях кремния пары становятся преобладающими дефектами. [20]

Для соединений Ну Яц энтальпия образования ряда нейтральных дефектов по Шоттки. [21]

Аналогичным образом из экспериментальных данных нетрудно найти и энергию образования нейтральных дефектов ( см. разд. [22]

В связи с этим ассоциация осуществляется только через имеющиеся в небольшом количестве нейтральные дефекты. [23]

Мольная доля х зародышей критического размера мала по сравнению с мольной долей нейтральных дефектов х, если рассматривать их как два компонента одного и того же раствора. [24]

Тесное соответствие, имеющееся, по-видимому, между энергиями диссоциации газообразных молекул и энергиями разрыва ассоциатов нейтральных дефектов в кристалле, позволяет в определенной степени предсказать поведение дефектов в кристалле, исходя из рассмотрения свойств молекул в газовой фазе. Действительно, преобладание в кристалле КВг с избытком брома ассоциатов ( Ук) з по сравнению с VK можно предвидеть, зная, что в насыщенном паре брома гораздо больше молекул Вг2, чем атомов Вг ( рис. IX. [25]

Если уровень VM расположен выше, чем уровень VM, то электроны будут переходить с уровня VM на пустой уровень VM - В результате нейтральные дефекты будут соответствовать основному, а заряженные - возбужденному состоянию. [26]

Глубина локальных уровней влияет как на концентрацию соответствующих свободных носителей, так и на концентрацию самих дефектов, с которыми связаны эти уровни, так как уменьшение концентрации нейтральных дефектов в результате их ионизации восполняется за счет соответствующего сдвига равновесия кристалл-пар. [27]

Зависимость от Ns обратной величины линейного коэффициента а, определенной из сопоставления кривой зфф - с М ( ж bNm2 c экспериментом при 4 2 и 80 К. Данные взяты из 51. Кружки - Т 4 2 К, крестики - Т 80 К. [28]

Как в более старых [302], так и в недавних [975] исследованиях было обнаружено возрастание рассеяния на шероховатостях поверхности при обработке, создающей таковые, хотя авторы работы [975] и связывали роль обработки с увеличением числа нейтральных дефектов. Отметим, что сдвиг кривой рис. 52 относительно начала координат указывает на наличие дополнительного механизма рассеяния. [29]

Возможное решение для рВ2 С, полученное обычным приемом аппроксимации условия нейтральности, показано на рис. XIII. Наклон линий нейтральных дефектов во всей температурной области одинаков, поскольку концентрации дефектов не входят в уравнение нейтральности и определяются только условиями равновесия кристалл - пар. [30]

Страницы: 1 2 3 4