Химический дефект

Cтраница 1

Нормальные и серповидные эритроциты. [1]

Химический дефект при серповидно-клеточной анемии был раскрыт В. [2]

Химические дефекты, возникающие при замещении отдельных узлов решетки посторонними атомами или при внедрении этих атомов в междуузлия, в конечном итоге выражаются в смещении всех близлежащих узлов решетки. В целом при большом числе таких смещений химические дефекты проявляются статистически в отклонении параметров решетки от их нормальной величины в идеальном кристалле. Контролируя параметры решетки рентгенографически, можно определить характер деформации - сжатие это или расширение. Однако при любом направлении деформации она всегда оказывает существенное влияние на каталитическую активность. [3]

Химические дефекты, возникающие при замещении отдельных узлов решетки посторонними атомами или при внедрении этих атомов в междуузлия, в конечном итоге выражаются в смещении всех близлежащих узлов решетки. В целом при большом числе таких смещений химические дефекты проявляются статистически в отклонении параметров решетки от их нормальной величины в идеальном кристалле. Контролируя параметры решетки рентгенографически, можно определить характер дефоо-мации - сжатие это или расширение. Однако при любом направлении деформации она всегда оказывает существенное влияние на каталитическую активность. [4]

Под химическими дефектами мы понимаем связанные с влиянием примесей отклонения от правильной структуры идеального кристалла. К структурным дефектам относятся геометрические отклонения элементов решетки от регулярного расположения в идеальной решетке. Наряду с этим можно выделить электронные дефекты, которые представляют собой отклонения в распределении электрических зарядов, соответстсвующего периодическому строению кристалла. Они связаны обычно с химическими и структурными дефектами и имеют таким образом вторичную природу. Анализ различных видов дефектов представляет основу для понимания процессов диффузии, роста кристаллов, твердофазных реакций, активирования твердых фаз, а также многих других явлений. [5]

Теоретики часто не учитывают важного значения различных структурных и химических дефектов в графите и относят имеющийся экспериментальный материал к гипотетическому графиту, не отличающемуся от идеального в кристаллографическом отношении. [6]

При легировании в полимерном материале возникают беспорядок и химические дефекты. Последние можно наблюдать, определяя долю з / Я-атомов углерода с помощью ЯМР на 13С в твердом теле. [7]

Как видно из табл. 1, суспензионный и синтезированный в массе сополимеры содержат наименьшее количество химических дефектов структуры. Это, по-видимому, связано с минимальным количеством вспомогательных веществ, используемых при синтезе, и невысокой степенью взаимодействия радикалов с ними. Большая степень контакта макрорадикалов с водной средой, содержащей окислитель ( персульфат аммония) имеет место при латексном и безэмульгаторном процессах. [8]

Проведено аналитическое исследование образцов сополимера винилхлорида с ви-нилацетатом, синтезированных различными методами, на содержание химических дефектов структуры ( карбонильных и гидроксильных групп, двойных связей) и выявление их влияния на растворимость сополимеров. Показано, что при полимеризации в массе и водной суспензии образуется сополимер, содержащий значительно меньшее количество дефектов структуры, чем при латексной и растворной сополимеризации. Установлено, что наличие в сополимере дефектов структуры способствует лучшей растворимости и вязкостной стабильности концентрированных растворов при низких температурах. [9]

Зависимость силы фототока от температуры для полидифенилдиацетилена при освещении светом с различной длиной волны. [10]

Образуется возбужденное состояние - экситон, который мигрирует по системе до встречи со структурным или химическим дефектом, на котором происходит образование пары носителей фототока. Часто электрон задерживается в ловушке, а дырка мигрирует по системе макромолекул. [11]

Иными словами, если мы хотим экспериментально обнаружить относительно малые изменения общего сопротивления, вызванные физическими и химическими дефектами решетки, целесообразно проводить опыты при достаточно низких температурах, чтобы можно было практически пренебречь тепловым рассеянием. [12]

Мы видим, что применение метода радиоактивных индикаторов представляет широкие возможности для измерения величины кинетических коэффициентов, характеризующих состояние химических дефектов в ионных кристаллах. [13]

Наличие межфазной поверхности раздела, развитого поверхностного слоя с особыми свойствами [12] и как следствие вклада в теплоемкость самой свободной поверхности, ангармонизма колебаний поверхностных атомов, увеличения равновесной концентрации точечных дефектов за счет так называемых химических дефектов, обусловленных взаимной диффузией атомов компонентов и наличия сил притяжения между свободной поверхностью и точечными дефектами, должна привести к значительному отклонению от правила аддитивности, которое в основном используется для определения теплоемкости механических смесей. [14]

Высокие требования к чистоте материалов предъявляются в сцин-тилляционной технике. Химические дефекты в монокристаллах Nat - Til, Csl - Nal, Csl - Til влияют на их сцинтилляционные свойства вследствие конкуренции в поглощении возбуждающей радиации между ионами активатора и примеси, реабсорбций примесными центрами люминесценции активатора и появления примесных центров свечения. Собственный радиоактивный фон сцинтилляпионного детектора ограничи-вает возможность его применения для регистрации слабых активностей. [15]

Страницы: 1 2 3