Химический дефект

Cтраница 2

Структурными дефектами являются кристаллические дефекты в аморфных пленках - кристаллы самого материала пленки или же инородных включений. Химическими дефектами следует считать инородные включения: загрязнения, попадающие из среды, в которой образуется пленка ( пузырьки газа, анионы электролита, вещество испаряющихся электродов и т.п.), а также локальные нарушения состава пленки, например появление в оксидных пленках низших оксидов основного материала или оксидов примесей. Возможно появление дефектов типа микротрещин, пор и флуктуации толщины. [17]

Многие дефекты имеют атомную природу. Это либо структурные, либо химические дефекты; они могут включать либо атом, либо атомный узел, либо и то и другое в виде группировки. [18]

Химические дефекты, возникающие при замещении отдельных узлов решетки посторонними атомами или при внедрении этих атомов в междуузлия, в конечном итоге выражаются в смещении всех близлежащих узлов решетки. В целом при большом числе таких смещений химические дефекты проявляются статистически в отклонении параметров решетки от их нормальной величины в идеальном кристалле. Контролируя параметры решетки рентгенографически, можно определить характер деформации - сжатие это или расширение. Однако при любом направлении деформации она всегда оказывает существенное влияние на каталитическую активность. [19]

Химические дефекты, возникающие при замещении отдельных узлов решетки посторонними атомами или при внедрении этих атомов в междуузлия, в конечном итоге выражаются в смещении всех близлежащих узлов решетки. В целом при большом числе таких смещений химические дефекты проявляются статистически в отклонении параметров решетки от их нормальной величины в идеальном кристалле. Контролируя параметры решетки рентгенографически, можно определить характер дефоо-мации - сжатие это или расширение. Однако при любом направлении деформации она всегда оказывает существенное влияние на каталитическую активность. [20]

Дефект Шоттки. [21]

И, наконец, в кристалле заданной химической природы атом чужеродного элемента может или диффундировать от поверхности кристалла, или быть в нее включенным как во время кристаллизации, так и во время растворения из маточного раствора. Таким образом, этот атом образует примесь или химический дефект, занимая в решетке междоузловое положение или замещая атом в кристалле. [22]

По мнению Мыльникова3, механизм фотоэффекта сводится к возбуждению макромолекулы поглощенным фотоном. Возбужденное состояние мигрирует до встречи со структурным или химическим дефектом, на котором происходит образование свободной пары носителей фототока. Электрон задерживается положительно заряженными центрами, а свободные дырки мигрируют по системе макромолекул. [23]

Подчеркнем, что, но нашему мнению, в тех случаях, когда необходимо измерить электрическое сопротивление, создаваемое дефектами решетки, деформациями нт. Иными словами, если мы хотим экспериментально обнаружить относительно малые изменения общего сопротивления, вызванные физическими и химическими дефектами решетки, целесообразно проводить опыты при достаточно низких температурах, чтобы можно было практически пренебречь тепловым рассеянием. [24]

Зависимость поверхностного натяжения т от температуры /. / - молекулярный раствор. 2 -нефтяная дисперсная система.| Изобара адсорбции оксида углерода палладием. [25]

В этом случае А0 / А имеет конечное значение и на свойства дисперсных систем ( в том числе на химические свойства) существенное влияние начинает оказывать энергия поверхностных центров, обусловленных действием ван-дер-ваальсовых сил и наличием на поверхности различного рода химических дефектов - свободных радикалов, функциональных групп или, иными словами, неоднородностей поверхности. Изменение отношения А0 / Ап в зависимости от / г / г. как известно, носит экстремальный характер. На рис. 52 показана динамика поверхностного натяжения и изобары адсорбции для молекулярной жидкости ( кривая /) и НДС ( кривая 2) в зависимости от температуры. [26]

Если примесный атом занимает позицию, в которой до этого находился атом кристалла, то говорят о примеси замещения. Если атомы в той или иной области кристалла смещены из своего идеального положения, говорят, что кристалл деформирован. Деформацию могут вызвать химические дефекты, когда посторонний атом не точно соответствует решетке и смещения частично снимаются деформацией, связанной с такими дефектами. Напряжение и термическая обработка часто вносят деформацию в кристалл. [27]

Монография содержит систематическое изложение современного состояния исследований в области компьютерного материаловедения двойных и более сложных тугоплавких неметаллических соединений - нитридов и оксидов р-алементов ( В, Al, Ga, С, Si, Ge) и керамических материалов на их основе. Обсуждаются особенности электронных свойств и функциональные характеристики основных классов высокотемпературных неметаллических нитридных и оксидных соединений в различных состояниях - кристаллическом, аморфном, наноразмерном. Анализируются проблемы описания роли структурных и химических дефектов в формировании свойств бинарных фаз, рассмотрены особенности энергетических электронных состояний поверхности кристаллов, интерфейсов, границ зерен. Обобщен опыт квантовохимического моделирования сложных высокотемпературных керамических материалов, нанокристаллов, многослойных структур, высокопрочных композитов. [28]

Разнозвенность может возникать в результате протекания побочных реакций в процессах полимеризации или поликонденсации и вследствие реакций замещения в макромолекулах полимера. Под строением разнозвенных полимеров понимают микроструктуру цепных макромолекул с учетом не только различия в составе и строении звена, но также с учетом наличия разветвлений, сшивок, химических связей различных типов между звеньями, стереохимии и стереохи-мического порядка звеньев, а также стереохимии всей макромолекулы в целом. Отсюда следует, что под химическим дефектом понимается локальная аномалия структуры макромолекул. Различают полимеры с цепными ( линейными) макромолекулами, плоскостные и пространственно-сшитые полимеры. [29]

Однако оба эти вещества получаются в результате полимеризации монокристаллов мономеров. Поэтому их объединяют два чрезвычайно редко встречающихся вместе свойства: полимерный ковалептный остов, обеспечивающий очень хорошие подвижности носителей заряда, и оригинальный способ получения, сводящий к минимуму количество структурных и химических дефектов в материале. Послужат ли эти системы наиболее эффективным путем к созданию молекулярных полупроводников. Это станет ясно после решения целого ряда стоящих перед исследователями важных проблем. [30]

Страницы: 1 2 3