Дефектность - кристаллическая решетка
Cтраница 3
 |
Складывание полимерной цепи в кристалле. [31] |
Необходимо учитывать, что размеры кристаллитов L определяются по формуле (2.16) лишь в более или менее точном приближении. Кроме малых размеров кристаллитов к уширению линий на рентгенограмме могут приводить и другие эффекты, например дефектность кристаллической решетки. [32]
В пределах области гомогенности бертолидной фазы доминирующий тип дефектности кристаллической решетки остается одним и тем же, и физические свойства фазы в зависимости от состава изменяются плавно. При отклонении состава дальто-нидной фазы от стехиометрии как вследствие избытка, так и недостатка одного из компонентов тип дефектности кристаллической решетки изменяется. На кривых состав - свойство, построенных в концентрационной области существования дальтонидной фазы, имеется особая точка, ордината которой отвечает соединению стехиометрического состава. [33]
Таким образом, при воздействии высоких температур характер влияния механических напряжений на водородопроницаемость качественно отличается от такового при низкотемпературных испытаниях. Повышение проницаемости при высокотемпературной ползучести хромоникелевых сталей может быть объяснено увеличением коэффициента диффузии и, по-видимому, ростом сорбционной способности сталей вследствие повышения дефектности кристаллической решетки в процессе деформации. [34]
Недостаток ионов металла или кислорода в узлах решетки оксида, так же как и избыток ионов металла между узлами, занятыми ионами кислорода, ускоряют диффузию и уменьшают защитные свойства оксида. Легирование элементами с большей активностью к кислороду, чем основной металл, сопровождается при окислении накапливанием ионов этих элементов в оксидном слое, уменьшением дефектности кристаллической решетки и повышением защитных свойств оксидной пленки. При достаточно высокой концентрации легирующих элементов меняется даже кристаллическая решетка оксидного слоя. [35]
На основе анализа особенностей изменения электрофизических свойств в области собственной проводимости сделан вывод о том, что свободный Sd-уровень атомов хрома в CrSi2 играет роль акцептора и энергетически расположен между краем валентной зоны и дном зоны проводимости. Из анализа экспериментальной и расчетной плотности CrSij сделано предположение о том, что высокая ( 1020 см-3) концентрация дырок при комнатных температурах в стехиометрических образцах связана с молекулярной дефектностью кристаллической решетки. [36]
Следует заметить, что не всегда сдюды - ЗТ характеризуются нулевым значением угла оптических осей. Смит [5] пришли к выводу, что подобного рода несоответствие оптических и рентгеновских данных может быть устранено, если предположить, что существуют ответственные за двуосность напряжения, обусловленные дефектностью кристаллической решетки. Оптически аномальные кристаллы слюд встречаются в природе относительно редко и, вероятно, всегда связаны с необычными условиями кристаллизации. С этой точки зрения они представляют генетический интерес и являются ценным объектом для уточнения источника напряжений структуры - явления, слабо изученного в структурной кристаллографии слоистых силикатов. [37]
В настоящее время зависимость электрических свойств материалов от типа проводимости изучена хорошо. Показано, что небольшие примеси приводят к совершенно противоположным изменениям электропроводности у полупроводников с различивши типами проводимости. Не исключено, что характер дефектности кристаллической решетки ферритов оказывает значительное влияние на магнитные характеристики. [38]
Отклонения от стехиометрии имеют принципиальное значение для формирования свойств кристаллов. Шоттки и К - Вагнер установили взаимосвязь между дефектностью кристаллической решетки и нестехиометрией, доказав неизбежность появления нестехиометрии в любом ионном кристалле. [39]
В предыдущем разделе было показано, что спекание в основном определяется переносом вещества путем пластического течения и объемной диффузии. Скорость протекания этих процессов в сильной степени зависит от дефектности кристаллической решетки спекаемых материалов и повышается с увеличением дефектности. Повысить активность порошков можно с помощью различных приемов: тонким помолом спекаемого материала, введением малых добавок, применением в качестве сырья низкотемпературных метастабильных модификаций, если они имеются, получением сырья низкотемпературным разложением солей. [40]
Спекание зависит от коэффициента диффузии. Последний возрастает по мере увеличения дефектности кристаллической решетки. Коэффициент диффузии может быть повышен путем введения небольшого количества добавок, увеличивающих дефектность кристаллической решетки. Такой метод, как будет видно из дальнейшего, часто используют в технологии технической керамики, особенно оксидной. [41]
В работе [5] на примере кристалла нафталина был рассмотрен механизм уширения линий Ш с нагреванием. В качестве основных уширяющих факторов выявлены энгармонизм решеточных колебаний и нарастающая с температурой дефектность кристаллической решетки, причем первый из них наряду с размытием линий приводит к одновременному смещению всех максимумов в сторону возбуждающей. Определенную роль при атом играют броуновские реориентации молекул. [42]
Ферриты Me Me, FeS-x - y O - j - j - v подобно другим фазам переменного состава, содержащим кислород, сохраняют стехиометрию ( Ме: О 3: 4) лишь при определенном парциальном давлении кислорода ро стех, которое является функцией температуры и величин хну. Взаимосвязь между давлением кислорода и дефектностью кристаллической решетки ферритов рассмотрена в гл. Из опыта Шмальцрида [202] следует, что при увеличении давления кислорода над стехиометрическим магнетитом коэффициент диффузии железа возрастает в 150 раз. Изменение состава газовой фазы в сторону уменьшения парциального давления кислорода может привести к разрушению шпинельной структуры с образованием высокодефектной вюститной фазы, значительно активизирующей процесс спекания. [43]
Поэтому повышение стойкости промежуточных фаз уменьшает скорость перестариватшя. Во многом это уменьшение обусловлено сохранением когерентности решеток матрицы и фазы выделения, что связано с понижением уровня когерентных напряжений на границе фаз. Уровень когерентных напряжений снижают легированием, если легирующий элемент будет входить в решетку матрицы и фазы выделения, уменьшая разницу их удельных объемов. Скорость коагуляции частиц фазы выделения определяется прежде всего скоростью диффузии компонентов сплава, зависящей от степени дефектности кристаллической решетки матрицы ( см. Дефекты в кристаллах), уровнем упругих напряжений ( включая когерентные), возникающих в решетке матрицы вокруг частиц второй фазы, и характером распределения частиц по форме и размерам. Скорость коагуляции частиц невелика, если малы коэфф. Кроме того, при этом когерентные промежуточные фазы неустойчивы и заменяются стабильными, что способствует перестариванию. Скорость перестарпвания существенно влияет на пластическое деформирование сплава как в закаленном, так и в состаренном состоянии. [44]
Страницы: 1 2 3