Спонтанная деформация
Cтраница 2
Как и в сегнетоэлектрике-сегнетоэластике, 90-градусные доменные стенки, в частности, в сегнетоэлектриках типа перовски-та отделяют домены, которые различаются не только спонтанной поляризацией, но и спонтанной деформацией. [17]
 |
Четыре разных типа доменов в случае, когда параметр порядка обладает трансформационными свойствами тензора второго ранга. [18] |
Таким образом, вблизи точки собственного сег-нетоэластического фазового перехода одна из упругих податливостей кристалла увеличивается при Т - Тк по закону Кюри - Вейсса, а в несимметричной фазе возникает новая компонента спонтанной деформации, имеет место гистерезисная зависимость Ц ( О А) и образуются сег-нетоэластические домены. В отношении последних нужно заметить следующее: в то время как в сегнетоэлектрике с однокомпонентным параметром порядка существует два вида доменов, отличающихся знаком спонтанной поляризации, в сегнетоэластике существует минимум четыре разных вида доменов. Это связано со спецификой спонтанной деформации. [19]
В чистых сегнетоэластиках, сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках, а также в случае 90-градусных доменных границ, например, в сегне-тоэлектриках со структурой перовскита разделяемые ими домены отличаются не только спонтанной поляризацией, как в двух последних случаях, но и спонтанной деформацией. [20]
 |
Петля гистерезиса аытисегнетоэлектрика. [21] |
Существуют кристаллы, которые самопроизвольно деформируются при определенной температуре. Вещества, обладающие спонтанной деформацией, знак которой может быть изменен при внешних воздействиях, называют сегнетоэластиками. Возникновение спонтанной деформации часто сопровождается появлением спонтанной поляризации. [22]
Характер связи зависит от изменения симметрии - не только точечной, но и трансляционной. Если параметр порядка т) и спонтанная деформация х преобразуются операциями симметрии одинаково, то С. При этом помимо ориентационных возникают также трансляционные ( антифазные) домены. [24]
К сегнетоэлектрикам по родственности свойств близко примыкают так называемые сегнетоэластики - вещества, у которых при определенных температурах происходит самопроизвольная деформация элементарной ячейки. Как и поляризация в сегнето-электриках, спонтанная деформация в сегнетоэластиках возникает при структурных фазовых превращениях. Этим определяется и родственность методов теоретического описания данных материалов - с привлечением симметрийных принципов, с помощью изучения свойств соответствующих термодинамических функций и др. Поэтому там, где это возможно, естественно рассматривать свойства указанных сегнетоактивных материалов и, в частности, закономерности строения и динамики доменных структур в них совместно. [25]
В действительности же при намагничивании кристалла происходит спонтанная деформация, в результате которой несколько нарушается и симметрия кристалла. Это явление называется магнитосгприк-циещ объясняется оно тем, что общая энергия кристалла понижается вследствие вызванного деформацией изменения магнитокристаллической энергии и соответственно энергии обменного взаимодействия. Конечно, возникновение деформации одновременно приводит к возрастанию упругой энергии, так что снова результирующее состояние соответствует определенному равновесию между стремлением к понижению энергии магнитного состояния и возрастанием энергии за счет действия упругих сил. Однако проигрыш в энергии, вызванный упругими силами, Должен быть меньше, чем выигрыш в магнитной энергии за счет Деформации кристалла, так как в противном случае не возникала бы магнитострикция. [26]
Если ферромагнитный материал находится под воздействием внешнею механического напряжения, магнитокристаллическая анизотропия в результате возникающей деформации кристаллической решетки будет изменяться на величину, которая зависит от направления и величины этой деформации. В свободном кристалле для минимизации энергии магнитокристаллической анизотропии будет возникать спонтанная деформация, зависящая от направления М относительно осей кристалла; для кубического кристалла такие деформации, измеренные вдоль кристаллографических направлений [100] и [111], когда М параллельна этим направлениям, называются константами магнитострикции и обозначаются Xjee и Ят, соответственно. [27]
В сегнетоэластической фазе кристалл может быть деформирован по-разному, причем переход от одной спонтанной деформации к другой может быть реализован внешними механическими напряжениями. Ниже Тк сегиетоэластик обычно разбивается па домены, в которых спонтанная деформация имеет различное направление. Подобно тому как электрическое поле переориентирует сег-нетоэлектрические домены, механическая нагрузка монодоменизи-рует сегнетоэластик, превращая его в однодоменный кристалл. [28]
Для феноменологического описания магнитострикции чаще всего применяются так называемые констянты магнитострикции. Здесь нас будут интересовать лишь значения констант для / состояния насыщения, которое соответствует спонтанной деформации, вызываемой существованием спонтанной намагниченности. [29]
В результате синергетическая картина эволюции дефектной структуры в процессе деформации представляется следующим образом. Начиная с критического значения рс, плотность pe ( sfM), задаваемая внешними условиями, приводит к спонтанной деформации е0, играющей роль параметра порядка. При этом в физической области значений 0 е0 сга стационарная плотность границ также возрастает корневым образом, а плотность дислокаций сводится к критическому значению рс. [30]
Страницы: 1 2 3