Cтраница 1
Тонкие диэлектрики СВАМ, предназначенные для получения фольгированных материалов, могут быть изготовлены на основе различных полимерных связующих, например на эпоксидно - и бутваро-фенольных смолах. [1]
Внутренее поле очень тонкого диэлектрика может достигать больших величин; для его оценки положим s 20A - величина обычная для туннельных систем МДМ, см. разд. F в диэлектрике дается выражением F Ftn - f Ills. Дальнейшее увеличение приложенного напряжения U ( ifma - фт1) / е ведет к появлению и росту напряженности электрического поля противоположного знака. Очевидно, если электрод с меньшей работой выхода заряжен отрицательно, диэлектрик выдержит большее напряжение, прежде чем наступит пробой. [2]
Зависимость приращения сопротивления слоя цинка на конденсаторной бумаге от времени. [3] |
При использовании металлизированных органических тонких диэлектриков ( бумага, синтетические пленки) применение вкладных контактов недопустимо, так как под относительно толстой контактной фольгой не будет происходить восстановление электрической прочности при пробое. [4]
Зависимость пробивной напряженности бу-ыажновазелиновых конденсаторов от площади обкладок при двух и трех слоях бумаги между обкладками. / - два слоя по 8 мкм, 2 - три слоя по 8 мкм. [5] |
В случае двух слоев тонкого диэлектрика это вполне возможно, так как легко себе представить возможность совпадения двух проводящих включений в обоих слоях бумаги, если площадь обкладок достаточно велика; при трех слоях вероятность совпадения таких включений во всех слоях уже невелика. [6]
В случае двух слоев тонкого диэлектрика это вполне возможно, так как легко себе представить возможность совпадения двух проводящих включений в обоих слоях бумаги, если площадь обкладок достаточно велика; при трех слоях вероятность совпадения таких включений во всех трех слоях весьма мала. Поэтому можно думать, что при увеличенном числе слоев и диэлектрике повышенной толщины зависимость Euv / ( S) должна отклоняться от выражения ( 132) при увеличении S с переходом к установившейся величине при больших значениях площади. [7]
Схема технологического процесса изготовления МПП методом послойного наращивания. [8] |
На заготовку фольги приклеивают слой тонкого диэлектрика, перфорированного в местах межслойных соединений. Заготовки диэлектрика получают прессованием 4 - 9 листов стеклоткани с нанесением клея на каждый лист. [9]
Металлический лист, расположенный под тонким диэлектриком, можно активно использовать в процессе нейтрализации ( см. гл. Ионы, рожденные разрядом, движутся к поверхности диэлектрика независимо от знака заряда на ней. Нейтрализаторы такого типа нейтрализуют заряженную поверхность только в том случае, когда суммарный заряд ионов противоположного знака, поставляемый короной, равен нейтрализуемому заряду. Это достигается только при постоянном регулировании напряжения, в противном случае нейтрализатор зарядит поверхность диэлектрика. [11]
Вначале на заготовку фольги напрессовывают слой тонкого диэлектрика, перфорированного в местах межслойных соединений. В отверстия гальванически осаждается медь, заполняющая их на толщину диэлектрика, затем слой меди осаждается на поверхность диэлектрика, на котором выполняется рисунок монтажа внутреннего слоя. [12]
Для изготовления плат этим методом используют печатные слои из одностороннего фольгированного тонкого диэлектрика ( ФДМ-1), на которых фотохимическим методом получают печатные проводники с контактными площадками. В каждом слое имеются окна, которые должны быть расположены над контактными площадками нижних слоев. [13]
Проводилось также сравнение тока Ричардсона - Шоттки С током туннелирования в тонком диэлектрике. [14]
Схема коаксиального калориметрического ваттметра. [15] |