Тонкий диэлектрик - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Когда ты сделал что-то, чего до тебя не делал никто, люди не в состоянии оценить, насколько трудно это было. Законы Мерфи (еще...)

Тонкий диэлектрик

Cтраница 1


Тонкие диэлектрики СВАМ, предназначенные для получения фольгированных материалов, могут быть изготовлены на основе различных полимерных связующих, например на эпоксидно - и бутваро-фенольных смолах.  [1]

Внутренее поле очень тонкого диэлектрика может достигать больших величин; для его оценки положим s 20A - величина обычная для туннельных систем МДМ, см. разд. F в диэлектрике дается выражением F Ftn - f Ills. Дальнейшее увеличение приложенного напряжения U ( ifma - фт1) / е ведет к появлению и росту напряженности электрического поля противоположного знака. Очевидно, если электрод с меньшей работой выхода заряжен отрицательно, диэлектрик выдержит большее напряжение, прежде чем наступит пробой.  [2]

3 Зависимость приращения сопротивления слоя цинка на конденсаторной бумаге от времени. [3]

При использовании металлизированных органических тонких диэлектриков ( бумага, синтетические пленки) применение вкладных контактов недопустимо, так как под относительно толстой контактной фольгой не будет происходить восстановление электрической прочности при пробое.  [4]

5 Зависимость пробивной напряженности бу-ыажновазелиновых конденсаторов от площади обкладок при двух и трех слоях бумаги между обкладками. / - два слоя по 8 мкм, 2 - три слоя по 8 мкм. [5]

В случае двух слоев тонкого диэлектрика это вполне возможно, так как легко себе представить возможность совпадения двух проводящих включений в обоих слоях бумаги, если площадь обкладок достаточно велика; при трех слоях вероятность совпадения таких включений во всех слоях уже невелика.  [6]

В случае двух слоев тонкого диэлектрика это вполне возможно, так как легко себе представить возможность совпадения двух проводящих включений в обоих слоях бумаги, если площадь обкладок достаточно велика; при трех слоях вероятность совпадения таких включений во всех трех слоях весьма мала. Поэтому можно думать, что при увеличенном числе слоев и диэлектрике повышенной толщины зависимость Euv / ( S) должна отклоняться от выражения ( 132) при увеличении S с переходом к установившейся величине при больших значениях площади.  [7]

8 Схема технологического процесса изготовления МПП методом послойного наращивания. [8]

На заготовку фольги приклеивают слой тонкого диэлектрика, перфорированного в местах межслойных соединений. Заготовки диэлектрика получают прессованием 4 - 9 листов стеклоткани с нанесением клея на каждый лист.  [9]

10 Электрическое поле между коронирующим электродом и металлическим листом, находящимся под заряженной поверхностью.| Ограничение энергии разряда для активного нейтрализатора постоянного ( а и переменного тока ( б. [10]

Металлический лист, расположенный под тонким диэлектриком, можно активно использовать в процессе нейтрализации ( см. гл. Ионы, рожденные разрядом, движутся к поверхности диэлектрика независимо от знака заряда на ней. Нейтрализаторы такого типа нейтрализуют заряженную поверхность только в том случае, когда суммарный заряд ионов противоположного знака, поставляемый короной, равен нейтрализуемому заряду. Это достигается только при постоянном регулировании напряжения, в противном случае нейтрализатор зарядит поверхность диэлектрика.  [11]

Вначале на заготовку фольги напрессовывают слой тонкого диэлектрика, перфорированного в местах межслойных соединений. В отверстия гальванически осаждается медь, заполняющая их на толщину диэлектрика, затем слой меди осаждается на поверхность диэлектрика, на котором выполняется рисунок монтажа внутреннего слоя.  [12]

Для изготовления плат этим методом используют печатные слои из одностороннего фольгированного тонкого диэлектрика ( ФДМ-1), на которых фотохимическим методом получают печатные проводники с контактными площадками. В каждом слое имеются окна, которые должны быть расположены над контактными площадками нижних слоев.  [13]

Проводилось также сравнение тока Ричардсона - Шоттки С током туннелирования в тонком диэлектрике.  [14]

15 Схема коаксиального калориметрического ваттметра. [15]



Страницы:      1    2    3    4