Истощение - примесь
Cтраница 1
Истощение примесей проявляется в уменьшении коэффициента усиления, в то время как накопление - в аномально низких пробивных напряжениях. [2]
 |
Зависимость удельной электропроводности от обратной температуры в п - и р-кремнии. [3] |
В области истощения примеси концентрация основных носителей заряда остается постоянной, и проводимость при изменении температуры меняется только вследствие изменения подвижности. В зависимости от концентрации примеси подвижность может уменьшаться или увеличиваться, что приводит соответственно к уменьшению или увеличению проводимости. На рис. 85 в качестве примера приведен график зависимости а ( Т) при разной концентрации донорной и акцепторной примеси в кремнии. [4]
 |
Зависимость подвижности электронов и дырок от концентрации примеси в кремнии при Г ЗООК.| Зависимость удельной элек. [5] |
В области истощения примеси концентрация основных носителей заряда остается постоянной, и проводимость при изменении температуры меняется только вследствие изменения подвижности. В зависимости от концентрации примеси подвижность может уменьшаться или увеличиваться, что приводит соответственно к уменьшению или увеличению проводимости. [6]
Температура перехода от истощения примеси к собственной проводимости зависит от концентрации примеси для данного полупроводника и от ширины запрещенной зоны при фиксированной концентрации примеси. [7]
Однако в области истощения примеси всестороннее сжатие может изменить общую концентрацию частиц только на удвоенное изменение концентрации неосновных носителей заряда, поэтому тензосо-противление проявится слабо. В действительности же в целом ряде случаев тензосопротивление проявляется значительно сильнее, что может быть объяснено только сложной структурой зон энергии. [8]
Однако в области истощения примеси всестороннее сжатие может изменить общую концентрацию частиц только на удвоенное изменение концентрации неосновных носителей заряда, поэтому тензо-сопротивление проявится слабо. В действительности же в целом ряде случаев тензосопротивление проявляется значительно сильнее, что может быть объяснено только сложной структурой зон энергии. [9]
 |
Зависимость электропроводности от температуры для собственного полупроводника.| Зависимость электропроводности полупроводника с различной концентрацией примесей. [10] |
При дальнейшем повышении температуры наступает истощение примеси - полная ее ионизация. Собственная же электропроводность заметно еще не проявляется. [11]
 |
Температурная зависимость концентрации электронов в примесном полупроводнике. [12] |
Температуру Tsn иногда называют температурой истощения примесей. Величина Tsn может быть найдена из уравнения (3.56) после подстановки (3.57) и, полагая в нем при этой температуре п А. [13]
Эта область температур носит название области истощения примеси. Напомним, что носители заряда называются основными, если их концентрация больше концентрации собственных носителей заряда n - t при данной температуре, если же их концентрация меньше я -, то они называются неосновными носителями заряда. Мы видим, что в полупроводнике с донорной примесью основными носителями заряда являются электроны. [14]
Эта область температур носит название области истощения примеси. Напомним, что носители заряда называют основными, если их концентрация больше концентрации собственных носителей заряда щ при данной температуре, если же их концентрация меньше щ, то их называют неосновными носителями заряда. Мы видим, что в полупроводнике с донорной примесью основными носителями заряда являются электроны. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5