Истощение - примесь
Cтраница 2
Эта область температур носит название области истощения примеси. [16]
Чтобы найти значение а, соответствующее переходу от истощения примеси к собственной концентрации, необходимо помнить, что в области собственной концентрации мы имеем дело с носителями заряда двух типов, и поэтому выражение, полученное для примесного полупроводника, необходимо обобщить на случай собственной проводимости, что будет сделано ниже. [17]
В заключение этого параграфа оценим температуру, при которой наступает истощение примеси. [19]
 |
Зависимость концентрации электронов в эпитаксиальной пленке арсенида галлия от толщины пленки. [20] |
Данные по концентрации примесей, определенные из измерений коэффициента Холла в области истощения примесей и расчета концентрации ионизированных примесей по формуле Брукса - Херринга при 20 К приведены для двух образцов в таблице. [21]
 |
Изменение выходных характеристик полупроводникового триода с изменением температуры ( схема с общим эмиттером. [22] |
Величина Z, характеризующая работу транзистора при высоком уровне инжекции (5.92), в области примесной электропроводности ( истощение примесей) зависит от температуры примерно по линейному закону. [23]
Степень компенсации может быть определена из совместного анализа графика lri RX I / ( IIТ) в области истощения примесей и графика температурной зависимости холловской подвижности. Функциональная зависимость температуры максимума подвижности от суммарной концентрации ионов примеси может быть определена экспериментально путем прямых измерений на образцах с различным уровнем легирования, а для некоторых материалов ( с малой долей ионной связи) рассчитана теоретически. [24]
Во-вторых, если в ветвях термоэлемента при температуре, соответствующей температуре холодных спаев, все примеси уже ионизированы ( температура выше температуры истощения примесей), то исходная концентрация носителей заряда на горячем и холодном конце каждой ветви одинакова. Но на горячих концах ветвей носители приобретают большие энергии. Поэтому опять будет происходить диффузия носителей заряда от горячего к холодному концу в каждой ветви, связанная с выравниванием средней энергии, приходящейся на один носитель определенного знака. [26]
Из рис. 64 видно, что в области низких температур ( от 120 К до 200 К) концентрация носителей заряда остается постоянной, это соответствует области истощения примеси. Переход к собственной проводимости происходит при температуре тем меньшей, чем меньше концентрация примеси. На рис. 65 приведен график зависимости п / в германии и кремнии от обратной температуры, полученный на основе изучения зависимости коэффициента Холла от обратной температуры. [27]
Подчеркнем еще раз, что у металлов, у которых концентрация носителей чрезвычайно слабо зависит от температуры, эта составляющая практически равна нулю; она будет мала также в полупроводниках в температурном интервале истощения примесей. [28]
Из рис. 8 - 4 видно, что с увеличением концентрации примесей в полупроводнике переход от участка а-6 ( или г-д), на котором концентрация носителей обусловлена примесями, к участку б-в ( или д-е), соответствующему истощению примесей, смещается в сторону высоких температур ( ср. [29]
Из рис. 8 - 4 видно, что с увеличением концентрации примесей в полупроводнике переход от участка а-б ( или г-д), на котором концентрация носителей обусловлена примесями, к участку б-в ( или д-е), соответствующему истощению примесей, смещается в сторону высоких температур ( ср. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5