Истощение - примесь
Cтраница 4
Равенство (7.170) означает, что вся донорная примесь ионизована. Область температур, в которой выполняется условие (7.170), называют областью истощения примеси. [46]
С повышением концентрации доноров уровень Ферми располагается ближе к зоне проводимости, что объясняется увеличением концентрации электронов и ростом заполнения зоны проводимости. Из рис. 43 видно, что с повышением концентрации примеси область истощения примеси начинается при более высоких температурах. [48]
Ферми располагается ближе к зоне проводимости, что объясняется увеличением концентрации электронов и ростом заполнения зоны проводи-мосги. Из рис. 41 видно, что с повышением концентрации примеси область истощения примеси начинается при более высоких температурах. [49]
С повышением концентрации доноров уровень Ферми располагается ближе к зоне проводимости, что объясняется увеличением концентрации электронов и ростом заполнения зоны проводимости. Из рис. 43 видно, что с повышением концентрации примеси область истощения примеси начинается при более высоких температурах. [51]
Участок 1 справа отвечает примесной проводимости, левый участок 3 отвечает собственной проводимости вещества. В интервале 2 между ними проводимость почти не изменяется, это участок истощения примесей. При увеличении концентрации примесей примесная проводимость увеличивается, наклон кривой ( пунктир) на участке 1 уменьшается, становится уже участок истощения, а переход к собственной проводимости происходит при более высокой температуре. [52]
 |
Зависимость концентрации свободных электронов от температуры в полупроводнике п-типа ( NдзNд2Nдl. [53] |
На рис. 3.11 приведена температурная зависимость концентрации электронов в зоне проводимости для полупроводника n - типа. На кривой имеются три характерных участка: аб - для примесной электропроводности, бв - для области истощения примеси и вг - для собственной электропроводности. [54]
 |
Симметрия между зоной проводимости и валентной зоной. [55] |
На рис. 6.4 показана схематическая кривая зависимости натурального логарифма из концентрации электронов в зоне проводимости полупроводника от обратной температуры. На кривой можно выделить три участка: участок аб, отвечающий примесной проводимости полупроводника, участок бе, соответствующий области истощения примеси, и участок вг, отвечающий собственной проводимости полупроводников. [56]
На рисунке 7 в таблице 18 приведена зависимость концентрации носителей тока от температуры в донорном полупроводнике. Сплошной кривой изображена зависимость рл ( 7), а пунктирной - зависимость pp ( T) i Ts - температура истощения примесей. При очень низких температурах ( меньше температуры Ts) концентрация рп быстро растет вследствие переходов с донорного уровня в зону проводимости. Затем на графике мы наблюдаем, что рп не изменяется примерно вплоть до 400 К. [57]
Область ВС на рис. 9 - 17, в пределах которой концентрация электронов в га-полупроводнике мало изменяется, называют областью насыщения или областью истощения примесей. [58]
 |
Зависимость подвижности носителей заряда от температуры в примесном полупроводнике.| Зависимость удельной электропроводности невырожденного примесного полупроводника от температуры. [59] |
С учетом изложенного можно сделать вывод о том, какой должна быть температурная зависимость электропроводности примесного полупроводника. В интервале температур, где концентрация носителей экспоненциально зависит от температуры, а ( Т) также практически является экспоненциальной функцией, а в области истощения примеси ход кривой в ( Т) определяется температурной зависимостью подвижности. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5