Длина - свободный пробег - электрон
Cтраница 2
В действительности длина свободного пробега электронов по отношению к рассеянию их друг другом может быть значительно больше этого значения. Оценив длины пробега электрона по отношению к различным процессам, можем выяснить, как зависит электропроводность или сопротивление металла от температуры и концентрации примесей. [16]
Чем определяется длина свободного пробега электрона в реальной кристаллической решетке. [17]
Таким образом, длина свободного пробега электронов при температурах, больших Т0, обратно пропорциональна абсолютной температуре. У обычных металлов граничной температурой, разделяющей области высоких и низких температур, является дебаев-ская температура. [18]
 |
Удельная электропроводность паров цезия на линии насыщения ( 1, 7, 8 и изобарах ( 2 - 6 5. 3, 10 - 20. 4 - 35. 5 - 50. 6, 9 - 61 бар. Кривые - расчет. [19] |
Таким образом, длина свободного пробега электрона должна слабо зависеть от сечений рассеяния на кластерах. [20]
В некоторых полупроводниках длина свободного пробега электронов оказывается порядка межатомных расстояний. [21]
При таком давлении длина свободного пробега электрона велика, и он уходит на анод, не испытав соударений с частицами остаточного газа. Чтобы удлинить путь электрона, не увеличивая расстояние между электродами, предложено специальное расположение электродов во внешнем магнитном поле, так называемая ячейка Пеннинга. Проходя через полый анод, электроны начинают колебаться между катодами и под влиянием магнитного поля движутся по циклоидам, сталкиваясь с молекулами остаточного газа, что приводит к возникновению газового разряда. [22]
Как можно показать, длина свободного пробега электронов растет с убыванием температуры Т быстрее, чем Г 1, так что условие (52.13) выполнено и для обычных частот, но при низких температурах. Таким образом, условия для проявления аномального скин-эффекта выполняются как при высоких частотах и нормальных температурах, так и в области обычных частот, но низких температур. [23]
С понижением давления увеличиваются длины свободного пробега электронов, а следовательно, и их энергия; это активизирует разрядные процессы в промежутке, увеличивает количество носителей заряда, что, в свою очередь, сопровождается возрастанием заряда, перенесенного на разрядный электрод. [25]
Отсюда видно, что длина свободного пробега электрона или дырки оказывается обратно пропорциональной абсолютной температуре. [26]
В тонких металлических проволоках длины свободного пробега электронов при низких температурах обычно лимитируются диаметром проволоки. Исходя из этого оценить эффективную удельную проводимость Оэф тонкой металлической проволоки с диаметром 0 1 мм, приняв для остальных необходимых параметров значения, типичные для металлов. [27]
Эти участки пути называются длиной свободного пробега электрона. [28]
Однако с увеличением давления уменьшается длина свободного пробега электронов, падают накапливаемая на этом пути их кинетическая энергия и способность ионизовать газовые молекулы. [29]
 |
Схема стримерной формы разряда в малом промежутке с равномерным полем. [30] |
Страницы: 1 2 3 4