Длина - свободный пробег - электрон
Cтраница 4
V-карборупда, вероятно, была не более длины свободного пробега электрона. [46]
 |
Вольтамперные характеристики контакта полупроводник - металл, согласно диодной ( а и диффузионной ( б теории ( в относительных единицах. [47] |
Как видим, в зависимости от соотношения длины свободного пробега электрона и толщины запорного слоя применимы либо диодная, либо диффузионная теория. Запорные слои, к которым применима диодная теория, будем в дальнейшем называть тонкими, а слои, к которым применима диффузионная теория - толстыми. Следует иметь в виду, что здесь существенно отношение толщины слоя к длине свободного пробега, поэтому при равной толщине в веществах с большой подвижностью слой может быть тонким, а с малой подвижностью - толстым. [48]
К сожалению, прямых данных о величине длины свободного пробега электронов в полупроводниках не имеется. Сравнение вышеприведенных формул для зависимости подвижности от температуры с опытом дает достаточно хорошее согласие только для атомных решеток при чисто акустических флуктуациях, рассеивающих электронные волны. [49]
 |
Q. Зависимость подвижности носителей тока в Cu20 и PbS. [50] |
К сожалению, прямых данных о величине длины свободного пробега электронов в полупроводниках не имеется. [51]
Заметим, что при понижении давления, когда длина свободного пробега электронов и ионов становится больше, ударная ионизация начинается при меньшей напряженности поля, и для получения самостоятельного газового разряда требуется меньшая разность потенциалов. [52]
 |
Вольхамперные характеристики контакта металл - полупроводник. [53] |
Мы видели, что в зависимости от соотношения длины свободного пробега электрона и толщины запорного слоя справедлива либо диодная, либо диффузионная теория. Запорные слои, к которым применима диодная теория, мы будем называть тонкими, а слои, к которым применима диффузионная теория, - толстыми. Следует иметь в виду, что здесь существенно отношение толщины слоя к длине свободного пробега, поэтому при равной толщине в веществах с большой подвижностью слой может быть тонким, а с малой подвижностью - толстым. [54]
Следовательно, температурная зависимость электропроводности металлов определяется только длиной свободного пробега электрона. [55]
Удельное сопротивление тонких ( толщина которых соизмерима с длиной свободного пробега электрона) проводящих и резистивных пленок больше удельного сопротивления соответствующего материала в толстых слоях ( рис. 14 - 1) и зависит от толщины пленки и способа ее получения. [56]
Существенно, что при стремлении Т к абсолютному нулю длина свободного пробега электронов, обусловленная столкновениями с фоно-нами, неограниченно растет. [57]
Ом - м) - 1; Я0 - длина свободного пробега электронов -; Тл и Р - температура, К, и давление дугового газа, Па; ем; - эффективный потенциал ионизации дугового газа. [58]
Страницы: 1 2 3 4