Длина - свободный пробег - электрон
Cтраница 1
Длина свободного пробега электрона обратно пропорциональна вероятности рассеяния электр она внутри кристаллической решетки полупроводника. Мерой такой вероятности служит степень отступления от строгой периодичности идеальной кристаллической решетки. [1]
Длина свободного пробега электронов, вычисленная из формул классической электронной теории, оказывается на несколько порядков больше межатомного расстояния, что противоречит основным представлениям теории. [2]
Длина свободного пробега электронов весьма мала. Поэтому электроны под действием поляне успевают приобрести большой скорости; их средняя скорость упорядоченного ( создаваемого полем) движения и во много раз меньше средней скорости v их теплового движения. [3]
Длина свободного пробега электронов в металле определяется волновыми свойствами электронов. [4]
Длина свободного пробега электрона в пленке ограничивается не только ее поверхностью, но и структурными дефектами. На структуру пленки влияет температура подложки в момент осаждения, поэтому удельное сопротивление зависит от температуры подложки, уменьшаясь с возрастанием температуры. Снижение удельного сопротивления наблюдается у пленок, полученных на холодной подложке после прогрева в вакууме. Температура структурных превращений пленок близка к температуре рекристаллизации металла и существенно зависит от толщины пленок. Степень изменения удельного сопротивления после прогрева у тонких пленок более велика, чем у толстых. [5]
 |
Зависимость полного эффективного сечения. [6] |
Газокинетическая длина свободного пробега электрона Ае дает лишь приближенное представление о движении электронов в газе. Qe) оказывается зависящим также от скорости движения ( энергии) электронов. Здесь скорость электрона V3 см / сек связана с энергией электрона U3 эв соотношением v3 6 107 Уиз. [7]
Если длина свободного пробега электронов превышает расстояние между электродами, то движение электронов можно рассматривать как свободное. Теплопередача сводится к переносу энергии электронами и к лучеиспусканию. [8]
Понятие длина свободного пробега электронов и ее зависимость от кинетической энергии теряет смысл для таких ионных полупроводников, в которых длина пробега оказывается меньше межатомных расстояний. Длина волны электронов здесь превышает размеры рассеивающих центров, а неопределенность в значении кинетической энергии на порядок величины больше самой энергии. [9]
Обычно длина свободного пробега электрона в полупроводнике значительно меньше толщины электронно-дырочного перехода. Если за время свободного пробега электроны успевают набрать достаточную энергию, то возникает ударная ионизация атомов электронами. Поскольку скорость электронов, определяющая их энергию, зависит от напряженности электрического поля: vn inE, для ударной ионизации необходима определенная величина этой напряженности. [10]
Когда длина свободного пробега электрона начинает ограничиваться примесями и дефектами, она становится температурно независящей и сопротивление, которое и называется остаточным, становится практически постоянной величиной. В неупорядоченных сплавах даже при комнатной температуре сопротивление может обусловливаться главным образом неоднородностями. [11]
Если длина свободного пробега электронов превышает расстояние между электродами, то движение электронов можно рассматривать как свободное. Теплопередача сводится к переносу энергии электронами и к лучеиспусканию. [12]
Конечность длины свободного пробега электрона обусловлена неидеальностью решетки и взаимодействием электронов. Неидеальность же решетки, в свою очередь, связана с наличием примесей и искажений, а также с тепловыми колебаниями решетки. Таким образом, следует различать три основных механизма рассеяния электронов - рассеяние электронов примесными атомами, рассеяние электронов колебаниями решетки и рассеяние электронов электронами. [13]
Вычисление длины свободного пробега электронов проводимости в металлах при комнатной температуре дает величину в несколько сотен ангстрем. Таким образом, в этом интервале толщин электроны проводимости в пленках будут чаще сталкиваться с поверхностью пленки, чем с другими центрами рассеяния, и рассеяние на поверхности становится важным механизмом для сопротивления. Так как этот механизм рассеяния не чувствителен к деформации, в целом чувствительность к деформации уменьшается. Если еще дальше уменьшать толщину пленки, пленка перестает быть сплошной, и общее сопротивление начинает определяться сопротивлением участков между отдельными островками. [15]
Страницы: 1 2 3 4