Каишева

Cтраница 1

Развитие спирального роста кристалла, вызванное дислокацией. [1]

Каишева по электролитическому выделению серебра. Посторонние атомы и молекулы, включенные в осадок, нарушают структуру решетки и способствуют появлению на ее поверхности дислокаций в процессе электровыделения металла. [2]

Развитие спирального роста кристалла, вызванное единичной винтовой дислокацией. [3]

Каишева по электролитическому выделению серебра. Посторонние атомы и молекулы, включенные в осадок, на. Таким образом, появление кристаллического дефекта на поверхности грани облегчает процесс кристаллизации. [4]

Поверхность осадка цинка.| Поверхность осадка цинка. Электролит с добавкой декстрина. X 420. [5]

Каишева и Близнакова [12] о росте кристаллов гомеополярного типа на бесструктурной подкладке. [6]

Каишев и Близнаков рассчитали работу образования двумерных зародышей граней для простой кубической решетки, а Близи акав-работу образования для кристаллов с объемдо центрированной решеткой. [7]

Каишев и И. Н. Оранский [27] провели первый частично кинетический анализ процесса образования кристаллического зародыша, ограничившись состояниями идеальных минимальных форм. Акты отложения завершенных плоскостей решетки при этом рассматривались как неделимые элементарные события, установление частоты которых требует привлечения законов образования двумерных зародышей, выведенных ранее, и общих статистических соображений. [8]

Зависимость конечной ( равновесной толщины hr микроскопических пленок из водных растворов олеата натрия. [9]

Позднее Каишев и Ексерова предложили другой вариант этой теории. [10]

Странский и Каишев показали, что проблема роста и образования зародышей может быть решена количественно на основе элементарных процессов при последовательном применении статистического метода. [11]

Странский и Каишев в 1935 - 1939 гг. разрабатывали количественную теорию образования зародышей и роста кристаллов на основе изучения элементарных процессов. [12]

Странский и Каишев установили связь термодинамических величин со структурой кристалла и энергетикой связей между атомами в кристаллической решетке, применив метод средних работ отрыва. [13]

По Фоль меру, Каишеву и Странскому и ряду других авторов [47] рост кристаллов связан с образованием двухмерны зародышей на гранях. [14]

Все эти исследования, отмечает Каишев [357], пользовались представлениями об идеально построенных кристаллах. Позже оказалось, что неправильности в решетке могут изменить механизм роста кристалла; в таком случае исчезает необходимость образования двумерных зародышей и появляется возможность роста при значительно меньших пересыщениях, чем те, которые надо было ожидать на основании представления о росте через двумерные зародыши. [15]

Страницы: 1 2 3