Каишева

Cтраница 3

Позже Лакман [48, 49] показал, что равновесная форма для простых гомеополярных структур, выведенная по теории цепей периодических связей, одинакова с полученной по Странскому и Каишеву. [31]

Наложение стадии построения кристаллической решетки, включающей образование трехмерных зародышей на участках дислокаций, последующий рост осадка в условиях повторяющегося шага, распространение по поверхности кристаллического пакета оказывают заметное воздействие на кинетику процесса. Каишев, а также зарубежные - Дж. [32]

Наложение стадии построения кристаллической рошетки, включающей образование трехмерных зародышей на участках дислокаций, последующий рост осадка в условиях повторяющегося шага, распространение по поверхности кристаллического пакета оказывают заметное воздействие на кинетику процесса. Каишев, а также зарубежные - Дж. [33]

Каишев считает [374], что на вопрос, достаточна ли связь между теорией и практикой в области роста кристаллов, следует дать, к сожалению, отрицательный ответ. Отмечая плодотворность толкования эксперимента при помощи моделей, он вместе с тем отмечает, что все теоретические работы сделаны на очень упрощенных моделях и на такой решетке, как простая кубическая, которой в природе не существует. [34]

Каишев, Шелудкои Близнаков [2] изучали катодное выделение серебра на платиновом микроэлектроде при помощи попеременного симметрического прямоугольного напряжения. Начальный момент электролитического выделения серебра характеризовался резким падением напряжения на последовательном с генератором большом сопротивлении и, следовательно, резким падением напряжения на кривой, регистрируемой осциллографом. [35]

Дальнейшее развитие теории конденсации предполагает более подробный учет свойств конденсационных ядер. В последующем ( Крыстанов, 1957 г.; Каишев и Мутафчиев, 1959 г.) был рассмотрен случай неполностью смачиваемых ядер. [36]

Уравнение Гиббса - Вульфа выполняется только до тех пор, пока общая поверхностная энергия кристалла может быть представлена суммой произведений величины поверхности н удельной свободной поверхностной энергии. Это, однако, допустимо, лишь если энергией ребер и углов по сравнению с соответствующей суммой можно пренебречь; последнее возможно при не слишком малых размерах кристалла. Каишев [72], дополнено введением удельной свободной энергии ребер н углов. [37]

Коссель, а затем Странский впервые подошли к рассмотрению процесса роста кристаллов не из термодинамических соотношений, а с точки зрения молекулярно-кинетических представлений. Рассчитывая энергию, выделяющуюся при осаждении ионов ( или молекул) на растущем кристалле, Коссель установил, что вероятность присоединения ионов ( или молекул) к различным участкам грани неодинакова. К этому же выводу приходят Странский и Каишев, которые, используя понятие о средней работе отрыва частиц от поверхности, дают подробную картину процесса молекулярного роста кристаллов. [38]

Спиральный рост кристаллов. [39]

Основываясь на термодинамической теории, Странский и Каишев рассмотрели молекулярно-кннетический механизм роста кристаллов для большого числа взаимодействий. Рост начинается с возникновения на грани кристалла двумерного зародыша, вокруг которого происходит последовательное присоединение частиц в виде рядов до тех пор, пока не заполнится весь слой, а далее процесс повторяется. Представления о росте совершенного ( идеального) кристалла, лежащие в основе молекулярно-кинетической теории Оранского и Каишева, дополнены Франком, предположившим дислокационный механизм роста кристаллов. В последующие годы в работах Бартона, Кабреры и Франка рассмотрен дислокационный механизм роста кристаллов с учетом процессов, происходящих на поверхности кристалла, адсорбции и диффузии. [40]

В дальнейших экспериментах по росту кристаллов из паров автор установил [24], что образование новой плоскости решетки связано с трудностями, вполне аналогичными тем, которые возникают при образовании зародышей. Согласно этим представлениям по завершении роста каждой плоскости решетки происходит задержка до того момента, когда возникнет двумерный зародыш. Каишеву и И. Н. Странскому [27] впервые удалось кинетически обосновать процесс образования кристаллических зародышей. Дерйнгом [23], которым удалось обобщить казавшееся вначале необозримым многообразие единичных молекулярных процессов, протекающих при построении кристалла. [41]

Равновесная форма может быть найдена довольно просто. Начиная, с такой простой формы, как куб, будем удалять с него молекулы, находящиеся в вершинах, на ребрах, и другие молекулы, у которых энергия сцепления меньше, чем у молекул, находящихся в изломах ступеней, до тех пор, пока не останутся только молекулы с энергией сцепления, равной энергии сцепления молекул в изломах или большей, чем эта энергия. Странский и Каишев [68], используя этот атомистический подход, вывели правило Вульфа и уравнение Гиббса - Томсона. [42]

Под этим понимают такую форму кристалла, которая находится в равновесии с окружающей гомогенной фазой, например с паром. Такое определение означает, что все грани равновесной формы обладают одинаковой упругостью пара. Поэтому для каждой грани существует одинаковая вероятность осаждения и отделения частиц; вследствие этого все грани имеют также и одинаковый потенциал. Важнейшими методами определения равновесной формы являются термодинамический метод Гиббса и Вульфа и молекулярно-кине-тический метод Странского и Каишева. [43]

Рассмотрение условий образования равновесной формы кристалла, ограниченного стабильными плоскостями, как будто не имеет значения для вопросов коррозии. На практике мы имеем дело обычно не с монокристаллами, а с поликристаллическими объектами значительного размера. Атомы, расположенные на поверхности кристаллитов, покидают ее не вследствие испарения в газовую фазу, а под действием агрессивной среды - окислителя. Но и в этом случае в раствор будут уходить быстрее атомы, менее прочно связанные с поверхностью. Поэтому изменение рельефа поверхности под влиянием среды качественно должно совпадать с изменением его при испарении, хотя здесь возможно и некоторое различие в деталях и скоростях процесса удаления атомов. Следовательно, если протекает коррозия, то со временем должно установиться такое стационарное состояние, при котором огранка кристаллитов, выходящих на поверхность, характеризуется минимальным числом атомов, менее прочно связанных с поверхностью. Последняя должна приобрести рельеф, близкий к равновесному или, во всяком случае, удовлетворяющий ряду требований, сходных с требованиями равновесия. Косселя - Странского - Каишева может найти применение при интерпретации различных случаев коррозии. [44]

Страницы: 1 2 3