Каишева
Cтраница 2
Пренебрегая разностью энтропии, Странский и Каишев сначала предположили, что разность энергий сцепления для молекул, находящихся в различных положениях, равна разности химических потенциалов. [16]
Хотя Беккер и Деринг [1], Каишев и Странский [8-10] шли к раскрытию механизма возникновения новой фазы несколько иными путями, конечный результат вычислений у них тот же самый, что и у Фольмера. Он представляет его как сумму последовательных реакций присоединения простейших частиц ( ионов или молекул) к дозародышевым комплексам различной величины. [17]
 |
Равновесные формы некоторых упаковок по Странскому и Каишеву.| Полукристаллическое место. ф1 / 2 - энергия испарения частицы. [18] |
В своих последующих работах Странский и Каишев [38, 67-69] рассмотрели также равновесные формы конечных кристаллов при конечных пересыщениях. [19]
 |
Спиральный рост кристаллов. [20] |
Основываясь на термодинамической теории, Странский и Каишев рассмотрели молекулярно-кннетический механизм роста кристаллов для большого числа взаимодействий. Рост начинается с возникновения на грани кристалла двумерного зародыша, вокруг которого происходит последовательное присоединение частиц в виде рядов до тех пор, пока не заполнится весь слой, а далее процесс повторяется. Представления о росте совершенного ( идеального) кристалла, лежащие в основе молекулярно-кинетической теории Оранского и Каишева, дополнены Франком, предположившим дислокационный механизм роста кристаллов. В последующие годы в работах Бартона, Кабреры и Франка рассмотрен дислокационный механизм роста кристаллов с учетом процессов, происходящих на поверхности кристалла, адсорбции и диффузии. [21]
Кроме того, согласно молекулярно-кинетической теории Странского и Каишева вероятность присоединения одной молекулы ( или иона) к субмикрозародышу ( не достигшему еще величины равновесного зародыша) равна вероятности отрыва одной молекулы с его поверхности, поэтому трудно предположить, что молекулярно-диффузионным путем такие субмикроскопические образования смогут дорасти до величины равновесных кристаллических зародышей. Действительно, при столкновении и сращивании хотя бы двух, но достаточно крупных блоков может образоваться кристаллическая частица, равная или даже превосходящая по своим размерам величину равновесного зародыша. [22]
Используя теорию образования и роста кристалла, развитую m работах Странского и Каишева и Каишава и Близнакова, Н. А. Пангаров показал, что ориентация кристаллитов зависит от работы образования двумерных зародышей кристаллографических граней на поверхности катода. Произведенные вычисления работы образования различных видов зародышей для металлов, кристаллизующихся в кубической, тетрагональной, гексагональной системах, хорошо описывают экспериментальные результаты исследования текстур в электроосажденных металлах. [23]
Если взаимодействие третьих ближайших соседей является значительным, то по теории Странского и Каишева одновременно должны появляться третичные грани ( 111) и ( 112), так же как и первичные ( 001) и вторичные ( 011) грани, но отдельно третичные грани ( 111) не появляются. [25]
Работа образования двумерных зародышей кристаллографических граней различных решеток может быть рассчитана методом Странского и Каишева, основанным на определении средней работы образования кристаллов при выпаривании. [26]
В последнее время плодотворно работают в области изучения механизма образования текстуры ученые Болгарии - Каишев, Пангаров, Добров. [27]
В случае ртути а известно, и Шелудко и Тодорова [4], с одной стороны, Каишев и Мутафчиев [5], с другой, - определили таким образом значение этого коэффициента. [28]
Условия, при которых этого можно избежать, выводятся из общей теории зарождения и роста кристаллов Гиббса-Фольме - ра - Каишева. По этой теории следует, что вероятность появления устойчивого, так называемого критического, зародыша новой моди - ( в нашем случае графита), способного к уже беспрепятст-дальнейшему росту, тем меньше, чем больше работа его образования. Эта работа пропорциональна поверхностной энергии трехмерного зародыша критических размеров, которые тем больше, чем меньше пересыщение атомов углерода по отношению к их равновесию с графитом. Поэтому выгодно брать малое пересыщение, превышающее, однако, минимально необходимое, для того чтобы мог происходить рост алмаза. [29]
Константы / Со и Л 0, а следовательно, и скорость / могут быть вычислены статистическими методами ( Фаркаш, 1927 г.; Каишев и Странский, 1934 г.; Беккер и Деринг, 1935 г.; Френкель. Пусть капля критического размера содержит nk молей пара. [30]
Страницы: 1 2 3