Длина - диффузионное смещение
Cтраница 1
Длина диффузионного смещения ( как длина экранирования при монополярной диффузии) определяет эффективную область, на которую простирается диффузия. [1]
Длина диффузионного смещения для случая биполярной диффузии в некотором смысле играет ту же роль, что и длина экранирования для монополярной диффузии, определяя эффективную область, на которую распространяется диффузия. [2]
Длина диффузионного смещения / связана определенным соотношением с коэффициентом диффузии D и временем жизни экситона г, для одномерного движения / VZT ( см. разд. Чаще всего для измерения коэффициента диффузии экситонов используют метод сенсибилизированной флуоресценции. Под сенсибилизированной флуоресценцией понимается флуоресценция примесных индикаторных молекул, обычно присутствующих в небольших количествах в основной матрице. Эта флуоресценция возникает при возбуждении не непосредственно самих примесных молекул, а путем переноса энергии возбуждения от основного вещества, которое в данном случае служит как бы антенной. Геометрия таких систем может быть различной. Так, примеси могут быть равномерно распределены по объему или нанесены на поверхность основного кристалла. Исследуется зависимость относительных квантовых выходов флуоресценции основного вещества и примеси, а также времени затухания флуоресценции основного вещества от концентрации примеси и температуры. Из этих исследований, применяя макроскопическую теорию диффузии экситонов, можно извлечь различные динамические характеристики экситонов основного вещества. В качестве основного кристалла при изучении сенсибилизированной флуоресценции в большинстве случаев использовались нафталин и антрацен. [3]
Длина диффузионного смещения экситона может быть найдена также при изучении зависимости интенсивности металлического тушения экситонов от величины коэффициента поглощения возбуждающего света ( эти эксперименты описаны в гл. [4]
 |
Эквивалентные схемы фазовращателей.| Полупроводниковая p - i - n структура и ее эквивалентная схема. [5] |
Если длина диффузионного смещения носителей тока соизмерима с d, то заполнение ( - области носителями считается равномерным. При этом можно считать, что проводимость в базе всюду постоянна. Емкость, постоянная для двух рабочих состояний ( C2 Ci), может быть скомпенсирована индуктивностью и не влияет на качество p - i - n структуры. У наиболее чистого кремния Y ( 1 - - 5) 10 - См / см. Значения Y могут быть получены существенно меньше при подведении к i-области сильных электрических ( вытягивающих) полей. Однако применение второго напряжения обратной полярности усложняет конструирование. Проводимость Y при прямом смещении увеличивается с ростом плотности тока, протекающего через структуру. [6]
Если длина диффузионного смещения инжектированных носителей Id соизмерима с толщиной f - области d, то i-область заполняется носителями сравнительно равномерно. [7]
 |
Схема эксперимента для определения коэффициента диффузии по методу Симпсона. Пунктирная кривая. [8] |
Оба описанных выше экспериментальных метода нахождения длины диффузионного смещения требуют знания не только таких величин, как коэффициент поглощения света, но и концентрации примеси. Третий метод - метод Симпсона [348] - является, пожалуй, наиболее прямым и точным, и мы его опишем поэтому более подробно. [9]
Соотношение между коэффициентом диффузии D, длиной диффузионного смещения / и временем жизни экситона т зависит от размерности пространства, в котором происходит движение экситона. Длину диффузионного смещения можно грубо определить как среднеквадратичное смещение экситона за время его жизни. [10]
Еще одной важной характеристикой миграции экситонов является длина диффузионного смещения, которая определяется средним расстоянием, на которое перемещается экситон за время его жизни. Если движение экситона носит характер случайных прыжков ( перескоков) и экситон возникает в некотором узле х0 и гибнет по той или иной причине в узле х, то линейное расстояние ( х - дг0) / называется длиной диффузионного смещения. [11]
 |
Расчет ВАХ фотодиода. а, б - исходные температурная и световая характеристики. в - ВАХ.| ВАХ фотомагнитодиода.| Оптопара с фотом агнитодиодом.| Структура p - i - n фотодиода. [12] |
Диоды с большим отношением Длины базы к длине диффузионного смещения, открытые для действия света, называют фотомагн тодиодами. [13]
Величина Lp уОрт: р, называемая длиной диффузионного смещения, есть характеристическое расстояние, на котором избыточная концентрация дырок уменьшается в е раз. Диффузионная длина Lp ( или Ln для электронов в материале р-типа) является мерой того, как далеко могут продиффунди-ровать дырки до рекомбинации с электронами. [14]
 |
Семейство вольт-амперных характеристик кремниевого магнитодио-ца с отрицательным сопротивлением в различных магнитных полях В. [15] |
Страницы: 1 2 3 4