Длина - диффузионное смещение
Cтраница 3
Спектры фотопроводимости кристалла антрацена с электродом, который представляет собой раствор NaOH в концентрации 1 М, показаны на рис. 1.7.24. Используя соотношение (1.7.8.08) и данные рис. 1.7.24, получаем результаты, приведенные на рис. 1.7.25, из которых следует, что длина диффузионного смещения синглетного экситона без поправки равна 440 А. Эта величина близка к значению 400 А, полученному при измерениях флуоресценции этих кристаллов, электродом для которых служил водный раствор родамина В. Следовательно, главную роль в обоих процессах играют синглетные экситоны. [31]
Соотношение между коэффициентом диффузии D, длиной диффузионного смещения / и временем жизни экситона т зависит от размерности пространства, в котором происходит движение экситона. Длину диффузионного смещения можно грубо определить как среднеквадратичное смещение экситона за время его жизни. [32]
Длину диффузионного смещения электронов принять равной 0 1 см, а дырок 0 07 см. Коэффициенты диффузии даны в приложении. [33]
Оно показывает, что концентрация инжектированных дырок уменьшается с увеличением расстояния от перехода по экспоненциальному закону. Величина Ьд носит название длины диффузионного смещения или, короче, длины диффузии дырок. [34]
Конструктивная схема, представленная на рис. 7 - 1 6, свободна от перечисленных недостатков. Если толщина освещенного слоя не превосходит длины диффузионного смещения, то все образовавшиеся под действием света неосновные носители достигают перехода. [35]
Инжекционпый фотодиод представляет собой диод с длинной базовой областью из высокоомного полупроводника. Длина базы в несколько раз превышает длину диффузионного смещения неосновных носителей тока. Инжекционный фотодиод работает в режиме высоких уровней инжекции: проводимость базовой области определяется инжектированными носителями. [36]
 |
Частотные характеристики фотодиодов. [37] |
На рис. 7 - 11 показаны частотные характеристики фотодиодов. В связи с тем, что толщина базы фотодиода значительно меньше длины диффузионного смещения L, все возникающие носители достигают р-п перехода, где разделяются потенциальным барьером. Поэтому постоянная времени фотодиода определяется не временем жизни неосновных носителей тока, а временем их пролета до р-п перехода. [38]
Среднее время существования носителей зарядов принято называть временем жизни носителей. За время жизни в результате диффузионного движения носители проходят некоторое среднее расстояние L, называемое длиной диффузионного смещения. [39]
При освещении р - - перехода про - р - - переходе исходит генерация электронно-дырочных пар. Если излучение поглощается в р-области ( рис. 2.14), то электронно-дырочные пары, находящиеся на расстоянии, меньшем длины диффузионного смещения от р - - перехода, смогут достигнуть его. Потенциальный барьер р - - перехода способствует переходу электронов. Соответственно, если излучение поглощается в - области, то через р - переход могут пройти только дырки. Если же излучение поглощается в области объемного заряда, то электроны переносятся электрическим полем р - - перехода в - область, а дырки в р-об-ласть. Таким образом, электрическое поле р - - - перехода разделяет избыточные носители тока. Поскольку из обеих областей через р - - переход уходят только неосновные носители, то можно считать, что генерируемые светом носители заряда увеличивают обратный ток р - - перехода, так как именно он образуется за счет неосновных носителей. [40]
В поперечном магнитном поле уменьшается подвижность, и поэтому длина диффузионного смещения инжектированных носителей также уменьшается, что приводит к резкому уменьшению тока. Кроме того, магнитное поле отклоняет носители к одной из граней, что повышает роль поверхностной рекомбинации и уменьшает дополнительно длину диффузионного смещения. [41]
Формулируются требования к параметрам фотоприемных мозаик, работающих в системах оптической обработки изображений. Дается обзор технологических методов создания фоточуветвителышх интегральных приборов, выделяются приемы диэлектрической изоляции элементов, снижения толщины фотоприемного слоя, уменьшения в нем длины диффузионного смещения, освещения структуры со стороны, противоположной р-п-пере-ходам. Выявляется зависимость коэффициента межэлементных связей от конструктивных, технологических и физических параметров мозаики. [42]
 |
Магнитодиоды. а - с длинной базой, б - с областью большой скорости. [43] |
Магниторезистивное явление имеет место также в полупроводниковых диодах и транзисторах. В качестве магнитодиодов используются полупроводниковые диоды с p - n - переходом и с n - p - переходом, имеющие базу, длина которой больше длины диффузионного смещения неосновных носителей заряда. [44]
Еще одной важной характеристикой миграции экситонов является длина диффузионного смещения, которая определяется средним расстоянием, на которое перемещается экситон за время его жизни. Если движение экситона носит характер случайных прыжков ( перескоков) и экситон возникает в некотором узле х0 и гибнет по той или иной причине в узле х, то линейное расстояние ( х - дг0) / называется длиной диффузионного смещения. [45]
Страницы: 1 2 3 4