Длина - диффузионное смещение
Cтраница 2
В поперечном магнитном поле уменьшается подвижность, и поэтому длина диффузионного смещения инжектированных носителей также уменьшается, что приводит к резкому уменьшению тока. Кроме того, магнитное поле отклоняет носители к одной из граней, что повышает роль поверхностной рекомбинации и уменьшает дополнительно длину диффузионного смещения. [16]
В работе М. Д. Борисова и В. Н. Вишневского [353] была предпринята попытка определения длины диффузионного смещения экситона в нафталине по зависимости квантового выхода люминесценции примеси антрацена от коэффициента поглощения возбуждающего света. [17]
Мы ниже проиллюстрируем это, рассмотрев методы измерения времени жизни ( длины диффузионного смещения), дрейфовой подвижности, а также результаты, полученные при экспериментальной проверке соотношения Эйнштейна для неравновесных носителей. [18]
Для сохранения рельефа генерируемых светом и разделенных р-п переходами носителей заряда длина диффузионного смещения неосновных носителей должна быть менее L / N, а базовая область должна обладать малой продольной проводимостью. [19]
Для расчета основных параметров транзистора по известному примесному профилю определяют вспомогательные параметры: длину диффузионного смещения акцепторов в базе La и длину диффузионного смещения доноров в эмиттере LA. [20]
 |
Технологические варианты выполнения контрольной кольце - А вой топологии мозаики фотодио -, Дов. [21] |
А - структура с диэлектрической изоляцией элементов; В - толстослойная структура со сниженной длиной диффузионного смещения носителей в базовой области; В - тонкослойная структура на изолирующей подложке; Г - тонкослойная структура - мембрана; 1 3 4 - то же, что на рис. 1; 6 - диэлектрическая изоляция; 7 - подложка. [22]
Неосновные носители заряда, возникающие вследствие термической генерации в объеме полупроводника на расстоянии порядка длины диффузионного смещения от р - - перехода, будут затягиваться электрическим полем в область р - n - перехода и переноситься в область, где они являются основными. [23]
В полупроводниках с большой подвижностью и временем жизни носителей тока, а следовательно, и длиной диффузионного смещения носителей, это позволяет увеличивать концентрацию носителей в достаточно большом объеме полупроводника около инъектирующего контакта. [24]
Как видно из уравнения (1.75), ток насыщения обусловлен только неосновными носителями, находящимися на расстоянии длины диффузионного смещения от перехода, которые диффундируют в переход и перебрасываются через него дипольным полем перехода. Это один из примеров накопления неосновных носителей, который имеет очень много общего с накоплением неосновных носителей в транзисторе или р-п - р - - переключателе. [25]
Такое выражение для вольт-амперных характеристик справедливо только при относительно малых толщинах базовой области, не превышающих существенно длину диффузионного смещения неосновных носителей, когда падение напряжения в базовой области за счет протекания электронного тока мало. В реальных условиях падение напряжения в базовой области необходимо учитывать. [26]
Для расчета основных параметров транзистора по известному примесному профилю определяют вспомогательные параметры: длину диффузионного смещения акцепторов в базе La и длину диффузионного смещения доноров в эмиттере LA. [27]
 |
Магнитооптические свойства веществ. [28] |
Наиболее отчетливо этот эффект проявляется при несимметричном р-п переходе и широкой базе, т.е. когда концентрация равновесных носителей заряда, например, в р-области много больше, чем в - области, и расстояние между р-п переходом и контактом значительно превышает длину диффузионного смещения носителя заряда до рекомбинации. Тогда прямой ток очень сильно зависит от отношения толщины базовой области d к диффузионной длине L и практически все напряжение при прямом смещении приходится на базу, а напряжение на р-п переходе составляет малую его долю. [29]
Страницы: 1 2 3 4