Индуцированный канал
Cтраница 1
Индуцированный канал ( в полевом транзисторе с изолированным затвором) - канал, появляющийся под действием приложенного к затвору напряжения. В отличие от полевых транзисторов со встроенным каналом, у транзисторов, предназначенных для работы с индуцированным каналом, в процессе их изготовления канал не создается. При подаче на затвор такого транзистора напряжения определенной полярности, превышающего пороговое, напряжение, канал возникает вследствие взаимодействия электрических зарядов в затворе и прилегающем к нему слое полупроводника. [1]
 |
Характеристики прямой передачи полевых транзисторов с р-п переходом ( /, со встроенным ( 2. 3 и индуцированный ( 4 каналами. [2] |
Индуцированный канал у МДП транзисторов появляется лишь при определенной полярности и некотором пороговом напряжении на затворе ( t / nop на Рис - 2 - 75); проводимость канала возрастает по мере дальнейшего увеличения напряжения иа, имеющего ту же полярность. [3]
Глубина проникновения индуцированного канала и его проводимость увеличиваются с ростом отрицательного напряжения на затворе. Максимальная частота усиления обратно пропорциональна квадрату длины канала. В современных ВЧ МДП транзисторах это расстояние уменьшено до 2 - 5 мкм. Снижение граничной частоты обусловливается влиянием встроенных емкостей затвор - сток и затвор - исток, а также паразитных емкостей относительно подложки и соединительных проводников. [4]
МДП-транзисторы с индуцированным каналом находят более широкое применение, так как структуры такого типа могут изготавливаться в течение одного цикла диффузии, формирования областей истока и стока. Благодаря изоляции обратно смещенным р - n - переходом областей истока, стока и канала от остального объема подложки, соседние МДП-приборы не имеют гальванической связи и не требуют какой-либо дополнительной изоляции. [5]
МДП-транзисторы с индуцированным каналом используют чаще, чем транзисторы с встроенным каналом. Существенно то, что при отсутствии сигнала на входе они находятся в закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания. [6]
 |
Устройство МДП-транзисторов. [7] |
МДП-транзистор с индуцированным каналом ( рис. 3.22, а) выполнен на основе кристаллической пластинки / слаболегированного n - кремния, называемой подложкой. [8]
МДП-транзисторы с индуцированным каналом изображены на рис. 4.27 а. Металлические пластинки 5 над ними с проволочными выводами являются электродами истока И и стока С. Поверхность кристалла между указанными областями покрыта диэлектрическим слоем диоксида кремния SiO2 3, который изолирует электрод затвора 3 от области канала. [9]
МОП-транзистор с индуцированным каналом работает только при положительном напряжении исток-затвор. Положительное напряжение исток-затвор, превышающее минимальное пороговое значение ( Vto), создает инверсионный слой в области проводимости, смежной со слоем двуокиси кремния. Проводимость этого индуцированного канала увеличивается при увеличении положительного напряжения затвор-исток. [10]
МДП-транзисторе с индуцированным каналом ( рис. 5.32, а) при С / зи 0 канал отсутствует, а между стоком и истоком оказываются встречно включенными два р-п перехода, поэтому ток / с в этом случае практически равен нулю. При некотором пороговом напряжении между стоком и истоком накапливается достаточный слой электронов - создается проводящий канал. [11]
МДП-транзисторы с индуцированным каналом используют чаще, чем транзисторы с встроенным каналом. Существенно то, что при отсутствии сигнала на входе они находятся в закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания. [12]
 |
Ключевые схемы. [13] |
Транзисторы с индуцированными каналами р-типа изготовляют в островках монокристаллического кремния n - типа, полученных методом эпитаксиального наращивания. Для формирования этих островков в исходной пластине кремния р-типа предварительно вытравливают углубления. Области истока и стока транзистора с каналом р-типа создают диффузией акцепторной примеси. Области истока и стока транзистора с каналом n - типа изготовляют в основной части пластины введением донорной примеси. [14]
МДП-транзистор с индуцированным каналом р-типа представляет собой пластину кремния - типа, называемую подложкой, в которой создаютсг. Одна из этих областей используется как исток И, другая как сток С. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5