Индуцированный канал
Cтраница 4
В транзисторе с индуцированным каналом р-типа, созданном на подложке л-типа, положительный поверхностный заряд увеличивает абсолютное значение порогового напряжения, в связи с чем возникает задача его уменьшения. Для этого в слой 6 проводят ионное внедрение акцепторов с малой дозой Nn. [46]
 |
Полярность напряжений между электродами полевых транзисторов в рабочем режиме. [47] |
Остальные процессы в индуцированных каналах п - и р-типов аналогичны. [48]
 |
Проходные характеристики транзисторов МДП-типа. [49] |
Поскольку в таком транзисторе индуцированный канал появляется лишь при 1 / ЗИ Un0f, то работа его ограничивается режимом обогащения. [50]
Последний и выполняет функции индуцированного канала. Так, у транзистора, изготовленного на пластине с проводимостью р-типа, инверсионный слой обладает проводимостью п-типа, и для его появления надо приложить к затвору напряжение положительной относительно истока полярности. [51]
Выходные характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом ( рис. 50, а) показывают, что ток стока / с увеличивается с ростом напряжения на затворе. [52]
В МДП-транзисторах, с индуцированным каналом n - типа используется подложка из полупроводника р-типа, в которой создаются две области полупроводника и-типа для стока и истока. [53]
 |
Конструкции -. МДП-транзист. ора со встроенным ( а, инверсным ( б каналом и модель для расчета ( в. [54] |
В конструкции МДП-транзистора с индуцированным каналом ( рис. 10.3 6) диффузионная область - типа отсутствует. При напряжении на затворе U30 n - контакты разъединены областью р-тйпа и ток между ними не проходит. [55]
Очевидно, МДП-транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения. [56]
Преобладающее положение транзисторов с индуцированным каналом ( обычно р-типа) в ключевых схемах объясняется наличием у них четко выраженного уровня порогового напряжения затвора ( / пор. ЕХ, подаваемое на затвор, меньше порогового, то транзистор закрыт, если больше порогового, то транзистор открыт. [57]
 |
Статические характеристики полевого транзистора со встроенным каналом п-типа. [58] |
В МДП транзисторах с индуцированным каналом ( рис. 2 - 77, б) области истока и стока изготовляются так же, как в транзисторах со встроенным каналом, но область между истоком и стоком не подвергается никакой специальной обработке и сохраняет свойства исходной пластинки. Соответственно МДП транзисторы с индуцированным каналом при одинаковой геометрии и прочих характеристиках обладают большей проходной емкостью, чем со встроенным каналом. [59]
В МДП транзисторе с индуцированным каналом ( рис. 13 - 1, в) сам канал не создается технологическим путем. Под действием электрического поля, возникающего в результате Приложения Напряжения к затвору, в части га-полу-проводника, вблизи поверхности, между стоком и истоком образуется тонкий инверсный слой с дырочной проводимостью - р-канал. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5