Индуцированный канал
Cтраница 2
 |
Ключевые схемы. [16] |
Транзисторы с индуцированными каналами р-типа изготовляются в островках монокристаллического кремния с проводимостью n - типа, полученных методом эпитак-сиального наращивания. Для формирования этих островков в исходной пластине кремния с проводимостью р-типа предварительно вытравливаются углубления. [17]
Различают МДП-транзисторы с индуцированным каналом и со встроенным каналом. [18]
В МДП-транзисторах с индуцированным каналом ( см. рис. 1.41, б) канал не создается в процессе изготовления, а образуется под воздействием электрического поля. Если к транзистору с ОИ подключить напряжение UCM, по цепи стока пойдет обратный ток р-п-перехода, значение которого очень мало. При подключении в цепь затвора напряжения U3M так, чтобы потенциал затвора относительно истока и пластины был обязательно отрицательным ( для транзистора на рис. 1.41, б), под действием электрического поля под затвором приповерхностный слой пластины полупроводника обеднится. [19]
 |
Выходные харакетристики полевого транзистора с управляющим /. - - переходом и каналом л-типа. [20] |
Характеристики ПТИЗ с индуцированным каналом при нулевом напряжении на затворе имеют нулевой ток. Появление тока стока в таких транзисторах происходит при напряжении на затворе больше порогового значения Unop. Увеличение напряжения на затворе приводит к увеличению тока стока. [21]
Для МДП-транзистора с индуцированным каналом при малой концентрации примеси в р-области проводимость канала равна нулю при V30, а не при V3 - У30 0 (4.14), как для транзистора со встроенным каналом. [22]
 |
Структуры полевых транзисторов с изолированным затвором ( с р-каналом. [23] |
В МДП-транзисторах с индуцированным каналом ( рис. 6.8, а) проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока, которое называют пороговым напряжением ( ( / зи. [24]
Различают МДП-транзисторы с индуцированным каналом и со встроенным каналом. [25]
В МДП-транзисторах с индуцированным каналом n - типа используется подложка из полупроводника р-типа, в которой создаются две области полупроводника и-типа для стока и истока. [26]
 |
Условные графические обозначения полевых транзисторов. [27] |
Подложка транзистора с индуцированным каналом представляет собой высокоомный, слаболегированный кремний с электропроводностью л-типа, а сток и исток - сильнолегированные области с электропроводностью р-типа. Металлический затвор отделен от кристалла тонким слоем изолятора. Пока на затвор не подано отрицательное напряжение относительно истока, выходной ток при Е2 0 близок к нулю. Действительно, независимо от полярности приложенного между стоком и истоком напряжения, один из р-п-переходов ( исток - подложка, или подложка - сток) окажется запертым и выходной ток будет определяться обратным током запертого перехода и током утечки. [28]
 |
Структура полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом. [29] |
У МДП-транзисторов с индуцированным каналом ( рис. 6.3) отсутствует проводящий канал между областями стока и истока при напряжении между затвором и истоком, равным нулю. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5