Проводящий канал

Cтраница 1

Проводящий канал возникает перед переключением прибора в открытое состояние и из-за разогрева имеет большую удельную проводимость, чем остальная пассивная часть пленки аморфного полупроводника. [1]

Проводящий канал возникает только при некотором напряжении, называемом пороговым Unop. Условные обозначения МДП-тран-зисторов с встроенным каналом n - типа приведено на рис. 79, а, р-типа - на рис. 79, в, с индуцированным каналом n - типа на рис. 79, б и р-типа - на рис. 79, г. Там же показаны полярности управляющего ( Узи и питающего 1 / Си напряжений. [2]

Структуры полевых транзисторов с одним управляющим p - n - переходом ( а, с двумя управляющими p - n - переходами ( б. в и принципиальная схема включения с общим истоком ( в. [3]

Проводящий канал может иметь электропроводность как п -, так и р-типа. Соответственно различают полевые транзисторы с - каналом и р-каналом. Все полярности напряжений смещения, подаваемых на электроды полевых транзисторов с п - и р-каналом, противоположны. Комплементарные транзистсры оказываются удобными элементами для построения ряда схем. [4]

Проходные ВЛХ полевого транзистора с управляющим р-п переходом и с каналом п - и р-типов проводимости.| Проходная ВАХ полевого тран - [ IMAGE ] Проходная ВАХ полевого транзистора с изолированным затвором и зистора с изолированным затвором и встроенным каналом я-типа индуцированным каналом я-типа. [5]

Проводящий канал - это область в полупроводнике, в которой регулируется поток носителей заряда. [6]

Структуры полевых транзисторов с одним управляющим p - n - переходом ( а, с двумя управляющими / з-п-переходами ( б. в и принципиальная схема включения с общим истоком ( в. [7]

Проводящий канал может иметь электропроводность как п -, так и р-типа. Соответственно различают полевые транзисторы с - каналом и р-каналом. Все полярности напряжений смещения, подаваемых на электроды полевых транзисторов с п - и р-каналом, противоположны. Комплементарные транзисторы оказываются удобными элементами для построения ряда схем. [8]

Изменение статических характеристик передачи и порогового напряжения t / 3Hn0p МДП-транзистора с изменением температуры.| Выходные статические характеристики ( а и статические характеристики передачи ( б МДП-транзистора со встроенным р-каналом. [9]

Проводящий канал под затвором МДП-транзистора может быть создан в результате локальной диффузии или ионной имплантации соответствующих примесей в приповерхностный слой подложки. Он может возникнуть из-за перераспределения примесей вблизи поверхности полупроводниковой подложки в процессе термического окисления ее поверхности. Наконец, проводящий канал может появиться под затвором из-за фиксированного заряда в подзатворном слое диоксида кремния, на поверхностных энергетических уровнях, а также из-за контактной разности потенциалов между металлом затвора и полупроводником подложки. [10]

ВАХ переключателя на аморфном полупроводнике. / - участок, соответствующий закрытому состоянию переключателя, 2 - переходный участок, 3 - участок, соответствующий открытому состоянию переключателя. [11]

ВАХ переключателя на аморфном по-лупроводнике. [13]

Проводящий канал возникает перед переключением прибора в открытое состояние и из-за разогрев-а имеет большую удельную проводимость, чем остальная пассивная часть пленки аморфного полупроводника. [14]

Зависимость напряженности поля X в положительном столбе дуги от тока. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5