Cтраница 2
Истинный проводящий канал может быть либо шире, либо уже. [16]
Поэтому проводящий канал под входным затвором исчезает. Таким образом, произошла запись информации, например логической единицы, так как под первым затвором секции переноса остался пакет дырок, ( Для записи логического нуля на начальном такте работы прибора на входной затвор не должно быть подано отрицательное напряжение. [17]
Замыкание проводящего канала на одну из уравнительных обкладок приводит к перераспределению напряженности электрического поля в толще диэлектрика остова и к перекрытию внутренней изоляции нижней части ввода. Имеются случаи, когда при перекрытии внутренней изоляции нижней части ввода происходит пробой нескольких слоев бумаги. Осмотр поврежденных вводов 110 кВ показывает, что перекрытия внутренней изоляции происходят, как правило, в нижней части ввода, причем электрический разряд развивается в направлении токоведущий стержень - нижняя подпорная г. ети-наксовая шайба - бакелитовый подпорный цилиндр - поверхность изоляционного остова - соединительная втулка. [18]
![]() |
Аппарат обезвоживания высокообводненных нефтей. [19] |
При возникновении проводящих каналов в нефти напряжение прикладывается к диэлектрическому слою и короткого замыкания не происходит. В нормальном режиме напряжение распределяется между слоем и нефтью. [20]
Модуляция сопротивления проводящего канала МДП-транзистора может происходить при изменении напряжения на затворе как положительной, так и отрицательной полярности. [21]
МПа / м проводящие каналы не образуются. [22]
В последнем случае проводящий канал развивается на одну из промежуточных обкладок изоляционного остова. [23]
В рассмотренном случае проводящий канал между истоком и стоком индуцируется напряжением затвора. Разновидностью МДП-транзисторов являются конструкции, при которых канал встраивается в процессе изготовления прибора путем введения соответствующих примесей. Напряжение затвора меняет концентрацию носителей и проводимость встроенного канала. [24]
При этом сечение проводящего канала уменьшается и его сопротивление возрастает. Этому соответствует участок бв характеристики Обвг. [25]
С увеличением размеров проводящих каналов и перепада давления за забое скважины и в пласте создаются условия для закачки воды с большим содержанием примесей. [26]
![]() |
Логические элементы на МДП-транзисторах. [27] |
В МДП-транзисторах возникновение проводящего канала р-типа между истоком И и стоком С, вызывающее протекание тока, практически происходит лишь тогда, когда абсолютная величина отрицательного смещения затвора 3 относительно истока И превышает некоторую величину, например 5 - 6 В. [28]
![]() |
Стоковые характеристики полевого транзистора с обогащением.| Стоковые характеристики полевого транзистора с обеднением ( канал п-типа. [29] |
В транзисторе этого типа проводящий канал создается слабым легированием тонкого слоя материала подложки между стоком и истоком. В результате области стока, канала и истока имеют одинаковый тип проводимости. [30]