Проводящий канал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5
Русский человек на голодный желудок думать не может, а на сытый – не хочет. Законы Мерфи (еще...)

Проводящий канал

Cтраница 5


Строгое решение задачи для частного случая полностью проводящего канала при линейных аппроксимациях зависимостей теплофи-зических свойств и электропроводности газа от S дано в работах Эдельса и Фенлона, Крижанского и Кривоборской. Филлипс также рассмотрел дугу переменного тока в канале, но в отличие от предыдущих авторов считал, что весь канал можно разбить на проводящую и непроводящую зоны, причем положение границы раздела между этими зонами зависит от времени.  [61]

Под влиянием каких сил вода из вертикального проводящего канала поступает в окружающие мелкопористые блоки.  [62]

Такой тип МОП-транзистора называется транзистором без заранее заготовленного проводящего канала. Такой транзистор работает в режиме обогащения канала. Важной особенностью такого транзистора является одинаковая полярность напряжений на затворе и стоке, что позволяет питать эти цепи от одного источника.  [63]

64 Передающая трубка видикон. [64]

На элементарных конденсаторах, которые включены параллельно проводящим каналам, за период кадровой развертки образуется потенциальный рельеф. Уровни этого рельефа распределены в соответствии с освещенностью участков мишени.  [65]

Но условия для электронов проводимости в проводящем канале при переключении полевого транзистора с барьером Шоттки с коротким затвором ( длина затвора около 0 5 мкм) постоянными не являются. Как показано на рис. 6.1, в сильном электрическом поле дрейфовая скорость падает. При этом электроны проводимости с высокой энергией, ускоренные электрическим полем, перемещаются во второй минимум зоны проводимости, соответствующий большей эффективной массе. В случае короткого канала полевого транзистора этот эффект быстро возникает в канале и распространяется на стоковую область, поэтому дрейфовая скорость электронов проводимости в канале GaAs транзистора становится еще большей, чем максимальная величина, указанная на рис. 6.1. В результате время задержки при переключении прибора для случаев применения GaAs и InP почти уравнивается.  [66]



Страницы:      1    2    3    4    5