Длина - волна - генерация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Русский человек на голодный желудок думать не может, а на сытый – не хочет. Законы Мерфи (еще...)

Длина - волна - генерация

Cтраница 1


Длина волны генерации составляет 1 056; 1 0525 мкм. Лазеры могут работать как в режиме свободной генерации, так и в моноимпульсном режиме, причем для них характерен режим самомодуляции добротности, проявляющийся при малых значениях добротности резонатора.  [1]

2 Диаграмма энергетических уровней гелия и неона.| Схема устройства газового лазера. [2]

Длина волны генерации зависит от спектральных характеристик зеркал резонатора.  [3]

Длина волны генерации лазера не должна изменяться более чем на 10 - 4 - 10 - 5 % для того, чтобы при проведении ряда измерений лазер оставался настроенным на центр пика поглощения. Для этого требуется современная технология; существует мнение, что сканирование по всему пику поглощения должно давать более надежные результаты, чем метод установки стационарной длины волны. Хотя и можно добиться плавного сканирования по длине волны, при конструировании сканирующей системы нужно убедиться в том, что интенсивность пучка даже в пределах узких интервалов длин волн изменяется не слишком сильно. При наличии в резонаторе лазера сильной обратной связи даже небольшие несовершенства ее компонентов ( зеркал) способны вызвать большие изменения интенсивности ( включая потерю генерации) в пределах узких интервалов длин волн. Эти изменения непредсказуемы и могут варьироваться при замене компонентов. В большинстве случаев флуктуации интенсивности легче всего компенсировать двухлучевым методом, так как относительный дробовой шум для пучка высокой интенсивности пренебрежимо мал.  [4]

Длина волны генерации X современных лазеров на основе GaAlAs лежит в ближней инфракрасной области ( 800 нм) и может варьироваться с помощью изменения химического состава лазера. Исходя из максимальной плотности, которую можно получить на оптическом диске, более предпочтительны меньшие длины волн.  [5]

Перестройка длины волны генерации и широком спектральном диапазоне осуществляется в лазерах на центрах окраски ( см. Лазеры на центрах окраски), к-рые также обычно работают с накачкой др. лазером.  [6]

Хн - длины волны генерации и накачки; nnpl nc - показатели преломления призмы и активной среды. Несомненные преимущества РОС-мазера состоят в простоте конструкции селективного резонатора и компактности.  [7]

С увеличением длины волны генерации диэлектрические волноводы вносят значительные потери и для сохранения допустимого уровня потерь на распространение ( они пропорциональны А аДР, где Я - длина волны генерации, d - диаметр волновода) требуются волноводы большого диаметра.  [8]

Режим свипирования длины волны генерации осуществляется так же, как и ее перестройка, описанная в предыдущих пунктах данного параграфа. Отличие заключается в том, что положение минимума кривой потерь резонатора непрерывно смещается по шкале частот в процессе излучения лазера.  [9]

10 Активные среды газовых лазеров ( последовательность расположения в гл. 34 справочника.| Лазерные переходы в нейтральных.| Схема основных групп в Ne. [10]

В табл. 34.2 приведены длины волн генерации. Порядок расположения веществ соответствует табл. 34.1. Сильные линии помечены жирным шрифтом. Длины волн в вакууме и воздухе обозначены АЕак и Лвозд.  [11]

В третьей колонке приведены значения длин волн генерации без пересчета на вакуум, поляризация излучения и буквенное обозначение линий, принятое в оригинальных работах. Здесь же указан диапазон темпе ратурной перестройки Кг для данного индуцированного перехода.  [12]

Значительный интерес представляют ОКГ с длинами волн генерации в диапазоне 3 - 5 мк.  [13]

Кроме того, в смешанных полупроводниках имеется сильная зависимость длины волны генерации от состава кристалла. Однако такой путь управления длиной волны генерации не решает задачи в случае лазеров, работающих на атомных и молекулярных переходах, поскольку характеристики перехода слабо реагируют на внешние воздействия.  [14]

15 Спектр люминесценции ионов V2 в кристалле MgF2, связанный с переходом 4УЗ - 4Л2, и зависимость ае ( v - штриховая линия. [15]



Страницы:      1    2    3    4    5