Длина - волна - генерация
Cтраница 3
В качестве активаторов в кристаллическую решетку перовскитов вводят ионы редкоземельных элементов Рг3, Nds, Ho3 Er3 и Ти3, что обеспечивает диапазон длин волн генерации лазеров от 0 6 до 4 7 мкм. Как следует из диаграмм состояний ( см. рис. 39 - 41), структура кристаллической решетки перовскита наиблее характерна для начала ряда редкоземельных элементов, что следует учитывать при подборе условий изоморфного вхождения активатора в матрицу. [31]
Однако достижению высокой эффективности лазерной генерации препятствуют конкурирующие процессы, уменьшающие населенность верхнего лазерного уровня ( состояния Si) и приводящие к увеличению потерь на длине волны генерации. [33]
С увеличением длины волны генерации диэлектрические волноводы вносят значительные потери и для сохранения допустимого уровня потерь на распространение ( они пропорциональны А аДР, где Я - длина волны генерации, d - диаметр волновода) требуются волноводы большого диаметра. [34]
Стекла для квантовых генераторов света применяются для создания оптических квантовых генераторов с направленным излучением в областях 0.9, 1 06 или 1 3 ж / с. Длина волны генерации определяется типом зеркал или покрытий, используемых в квантовых генераторах, К особенностям химического состава этих стекол относится содержание нескольких весовых процентов окиси неодима. При этом содержание примесей железа в пересчете на окись железа не должно превышать 0 005 иес. [35]
Среди выпускаемых промышленностью лазеров наиболее доступными и удобными для исследования термических искажений неодимосодержащих активных сред являются газовые ге-лиево-неоновые лазеры непрерывного излучения. Длины волн генерации этих лазеров 0 63 мкм и 1 15 мкм лежат вне полос поглощения ионов неодима, а спектральный интервал между ними включает частоту излучения неодимовых лазеров. [36]
Из названия видно, что такими веществами являются полупроводники. Длины волн генерации полупроводниковых лазеров лежат в ИК-области ( 0 5 - 50 мкм), мощности равны милливаттам - ваттам. В практике лазерной аналитической спектроскопии используются чрезвычайно редко, может быть, в основном из-за экспериментальных трудностей при их изготовлении и эксплуатации. [37]
 |
Оптическая схема ГЛОН на молекулах NH3 ( резонатор СО2 - лазера - зеркало Зг и решетка Рг резонатор ГЛОН - - решетки Рг и Р2. [38] |
Что касается ОСН для FIR-лазеров, то они отличаются принципиально и конструктивно от рассмотренных ОСН. Так как длина волны генерации FIR-лазера значительно отличается от длины волны накачки, то подобрать оптические материалы, одинаково пропускающие эти длины волн, очень сложно. Поэтому большинство ОСН FIR-лазеров исключают конструкции элементов с углами Брюстера и используют коле-ниарную накачку, при которой излучение накачки вводится в резонатор, зеркала которого устанавливаются внутри вакуумной камеры, через малое отверстие, расположенное обычно в центре входного зеркала. Второе зеркало резонатора должно обеспечивать оптимальную добротность для F / jR - излучения и одновременно обладать высоким коэффициентом отражения для излучения СО2 - лазера, чтобы оно могло совершать в F / - резонато-ре большое число проходов. На рис. 3.11 приведена схема лазера на молекулах CH3F с типичной схемой оптической накачки. [39]
В пределах установленных границ в настоящее время могут генерировать излучение уже несколько сот различных органических соединений [101, 128, 129], так что можно считать, что этот спектральный диапазон целиком заполнен линиями генерации. Такое обилие длин волн генерации ЛОС, доступность и дешевизна многих активных сред являются одним из ценных свойств лазеров этого типа. [40]
Следовательно, в гигантском импульсе излучится вся запасенная в активной среде энергия. Значит, при перестройке длины волны генерации лазера на крыло полосы люминесценции энергия гигантского импульса при пассивной модуляции добротности возрастает. Естественно, при этом растет и уровень накачки. [41]
Кроме того, в смешанных полупроводниках имеется сильная зависимость длины волны генерации от состава кристалла. Однако такой путь управления длиной волны генерации не решает задачи в случае лазеров, работающих на атомных и молекулярных переходах, поскольку характеристики перехода слабо реагируют на внешние воздействия. [42]
Лазеры II-III класса снабжаются экранами для отражения от лазерно опасной зоны или для экранирования пучка излучения. Материалы для экранов имеют низкий коэффициент отражения на длине волны генерации лазера, огнестойки и не выделяют токсичных веществ при лазерном облучении. [43]
В задаче используют Не-Ne - ОКГ ЛГ-75, имеющий длину волны генерации 632 8 нм. Разрядная трубка / ( рис. 118) длиной 1 м с внутренним диаметром 5 мм имеет стеклянные окна 2 и 3, расположенные под углом Брюстера. [44]
Дальнейшее продвижение в коротковолновую ( рентгеновскую) область спектра принципиально затруднено из-за сильного падения коэффициента усиления с ростом частоты излучения. Это обстоятельство требует резкого увеличения энергии и мощности накачки по мере укорочения длины волны генерации. Не менее важным является вопрос о выборе активной среды. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5