Муаровая картина

Cтраница 2

Полный анализ важнейших особенностей муаровых картин требует много места ввиду большого числа параметров и поэтому выходит за пределы настоящего обзора. Для более полного ознакомления с вопросом мы отсылаем читателя к работе Джеверса [290], краткие выводы из которой изложены нами выше. [16]

Однако при электронно-микроскопических исследованиях муаровых картин кристаллов полимеров вновь возникают трудности, обусловленные влиянием облучения на полимерные образцы. На рис. 164 показано изменение муаровой картины для кристалла полиоксиметилена в зависимости от продолжительности облучения. Полное исчезновение муаровой картины служит доказательством разрушения кристаллической решетки. [17]

Разработанная математическая модель, описывающая формирование муаровой картины при наложении эталонного и рабочего растров, устанавливает взаимосвязь между полем смещений нанесенного на исследуемую поверхность растра и полем освещенности результирующей картины муаровых полос. Это существенно увеличивает чувствительность и точность метода муаровых полос при измерениях деформаций элементов листовых конструкций в услових циклических нагружений при повышенных температурах. [18]

Для устранения влияния перечисленных факторов на контраст муаровой картины оптическая схема датчика выполнена так, что на фотоприемники попадают пучки, образующие только одну систему полос. На рис. 3 - 16 а осветитель освещает решетки 2, 3 сходящимся пучком света. При таком освещении лучи, вышедшие из системы решеток, строят три ярких изображения источника света, два из которых построены пучками, образующими соответственно две системы интерференционных полос. Угол сходимости пучка, сформированного осветителем и зазор между решетками выбраны так, что эти изображения не накладываются друг на друга ( рис. 3 - 16 6), что в свою очередь, позволяет выделить только лучи, несущие информацию об одной системе полос. Конструктивно это достигается тем, что катетная грань прямоугольной призмы 2 изготовлена в виде реплики прозрачной дифракционной решетки, а к гипотенузной грани призмы в том 1месте, где создается нужное изображение источника света, приклеен световод 4, пропускающий лучи, которые создают только одну систему полос. Для данной системы необходима высокая точность позиционирования самих лепестков подвижной диафрагмы. [19]

Проанализируем способ, по которому на основании полученной муаровой картины можно сказать, имеет место растяжение образца или его поворот. [20]

В просвечивающей электронной микроскопии тонких пленок иногда встречаются муаровые картины. Эти картины имеют место в тех случаях, если два кристалла наложены так, как гетероэпитаксиальные пленки на монокристаллической тонкой подложке. Они возникают из-за двойной дифракции, вследствие того, что луч, дифрагированный в первом кристалле, отражается вторым кристаллом в положение, близкое к первичному пучку, так что он может проходить через диафрагму объектива. Изображение состоит из полос, перпендикулярных направлению рефлекса, образованного двойной дифракцией. [21]

Уравнения (2.18) и (2.19) служат основой для анализа муаровой картины. [22]

Схематическое изображение возникновения двух основных типов муаровых картин, полученных в результате. [23]

Путем комбинации обоих основных типов можно получить большое число более сложных муаровых картин, однако здесь достаточно ограничиться простейшими случаями. [24]

Биения пространственных частот, возникающие на двукратно экспонированной голограмме, подобны муаровым картинам при наблюдении в некогерентном свете. [25]

Дислокации в полимерных кристаллах, вектор Бюргерса которых равен постоянной решетки, видны обычно в муаровых картинах наложенных друг на друга складчатых ламелей ( Agar, см. [ 4, гл. Изучение таких картин в монокристаллах ПЭ показало, что дислокации распределены по каждому домену хаотично - без преимущественного расположения на границе между доменами. [26]

Наиболее детальная работа - была выполнена Боллманом, который использовал темнопольную методику просвечивающей электронной микроскопии и муаровые картины. [27]

Схема образования муаровых полос при повороте одной сетки относительно другой на угол 0.| Схема образования муаровых полос при одновременном повороте одной сетки относительно другой и деформировании сетки вдоль главного сечения. [28]

Таким образом, еще раз обратим внимание на то, что чистый взаимный поворот сеток дает муаровую картину, которая может быть использована для расчета происшедших перемещений. [29]

Зависимость величины светового Ф ( я) потока от S ( х) имеет вид Ф ( х) ES ( х), где Е - освещенность поля муаровой картины. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5