Муаровая картина

Cтраница 3

В зависимости от того, как расположены, в пространстве исследуемая поверхность и сетка-свидетель, каков вид системы полос и как осуществляется трансформирование ее изображения на исследуемую поверхность, как происходит совмещение обоих изображений для получения муаровых картин, последние будут давать качественно различную информацию о деформированном состоянии объекта. В настоящее время известны способы получения муаровых картин, представляющих собой с известным приближением поля распределения прогибов, углов наклона поверхности, кривизны перемещений по направлению и, наконец, непосредственно поля деформаций е, гу, уху. [31]

Микроскопия Лоренца с расфокусировкой. [32]

Анализ показывает, что число избыточных полуполос N, образованных дислокацией с вектором Бюргерса b в одной из частей кристалла, равен N - gb, где g - вектор дифракции, который принимает участие в формировании муаровой картины. [33]

Суть способа состоит в том, что вначале производят предварительную настройку видеосистемы путем совмещения осей проектора и видеокамеры в точке на поверхности объекта, затем осуществляют проецирование на эту поверхность с помощью проектора сетки с чередующимися светлыми и темными линиями, синтезируют мнимый растр в компьютере, складывают его с принять видеокамерой рабочим растром и определяют по полученной муаровой картине с учетом установленных ранее соотношений параметры поверхности объекта, при этом параметры синтезируемых компьютером проецируемой на поверхность объекта эталонной сетки и мнимого растра программно изменяют, а мнимый растр поворачивают на заданный относительно его первоначального положения угол в плоскости проецирования относительно оси видеопроектора. [34]

При испытании на образец, который находится в захватах испытательной машины, накладывают эталон и закрепляют прижимами. Для контрастности муаровой картины эталон предварительно поливают вазелиновым маслом. Контролем правильности установки эталонной сетки ( свидетеля) при этом является отсутствие муаровых полос. При нагружении образца возникает и визуально наблюдается описанная выше муаровая картина. [35]

Образование петель дислокаций по Франку и Риду. [36]

Положения минимумов и максимумов освещенности муаровых полос однозначно связаны с деформациями растра. Поэтому нахождение на муаровой картине точек с одинаковой освещенностью и измерение расстояний между ними позволяет определить поле перемещений, а затем вычислить деформации и перемещения. Для повышения точности и надежности измерений приходится применять растры с частотой 1200 линий на 1 мм. Такой вариант носит название метода голографического муара. На рис. 85 показана интерференционная картина, по которой производится определение деформаций. [37]

Однако при электронно-микроскопических исследованиях муаровых картин кристаллов полимеров вновь возникают трудности, обусловленные влиянием облучения на полимерные образцы. На рис. 164 показано изменение муаровой картины для кристалла полиоксиметилена в зависимости от продолжительности облучения. Полное исчезновение муаровой картины служит доказательством разрушения кристаллической решетки. [38]

Электронно-проекционный муаровый метод дает возможность определить несовершенства геометрической формы, изгйбные деформации и напряжения. Метод нанесения сетки с электронным моделированием муаровой картины определяет цепные напряжения в стенках резервуара. [39]

Электронно-проекционный муаровый метод дает возможность определить несовершенства геометрической формы, изгибные деформации и напряжения. Метод нанесения сетки с электронным моделированием муаровой картины определяет цепные напряжения в стенках резервуара. [40]

Кроме того, он установил, что после отжига муаровая картина сильно искажается и что у краев кристаллов возникает больше дислокаций. Нииноми и Такаянаги [88] проанализировали происходящие при отжиге изменения более детально и объяснили их наличием локальных сдвиговых деформаций, вызванных несоответствием в укладке примыкающих друг к другу ламелей. Они установили, что нарушения в муаровых картинах имеют тенденцию появляться у концов кристалла, где деформация при отжиге протекает значительно легче. Затем искажения распространяются по всему кристаллу. Увеличение числа дислокаций наблюдается при температурах отжига, лежащих значительно ниже тех, которые необходимы для утолщения кристалла, и, таким образом, сделанное ранее предположение, что утолщение ламели связано с возрастанием числа внутримолекулярных краевых дислокаций, не подтверждается. На рис. 7.4 приведена зависимость плотности дислокаций от времени отжига при различных температурах. [42]

Схематическое изображение плоскостей кристалла с парой внутримолекулярных краевых дислокаций ( а, которые изменяют угол рассогласования со второй совершенной ламелью ( б, а также изображение результирующей муаровой картины ( в, Эта структура может быть изменена дальше, если умл рассогласования будет меньше критического угла образования сетки винтовых дислокаций ( рис,. [43]

Около этих областей наблюдается появление спаренных краевых дислокаций противоположного знака. В области между возникшими при отжиге спаренными краевыми дислокациями муаровая картина часто становится похожей по виду на картину, характерную для межламелярной винтовой дислокации. На рис. 7.5 показаны возможные изменения в одном из кристаллов ( другой предполагается совершенным) и возникающая при их наложении муаровая картина. [44]

Измерение высоты неровностей с помощью окулярного микрометра производится следующим образом. В поле зрения окулярного микрометра одновременно должны быть видны: муаровая картина, перекрестие с би-штрихом, миллиметровая шкала, деления лимба и две окружности. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5