Полупроводниковый катализатор
Cтраница 1
Оксидные полупроводниковые катализаторы менее чувствительны к ядам. [1]
Активность полупроводникового катализатора тем выше, чем больше активных центров хемосорбции - свободных электронов и дырок - блуждают по его поверхности. [2]
Вводя в полупроводниковые катализаторы примеси, изменяющие их электропроводность, можно резко изменять ( увеличивать или уменьшать) их активность по отношению к окислительно-восстановительным реакциям. [3]
Почти все изученные металлические и полупроводниковые катализаторы неоднородны. Наиболее удобно описывать свойства неоднородной поверхности двумя величинами: теплотой адсорбции ( Q) н энергией активации ( Е) каталитических реакций. [4]
При исследовании полупроводниковых катализаторов необходимо прежде всего учитывать, что мы имеем дело с неидеальным кристаллом. В последнее время широко распространилась тенденция объяснять каталитические свойства полупроводников наличием свободных электронов в зоне проводимости. Исследователя этого направления в катализе, изучая параллельно изменение электронных ( электропроводность, работа выхода электрона) и каталитических свойств твердого тела, обычно не принимают во внимание изменение числа электронов, концентрации и характера дефектов кристалла. Разделение этих двух факторов, концентрации дефектов и - концентрации электронного газа, в системе кристаллическая решетка - ( - дефект ( в частности, внедренный атом) экспериментально очень сложно. [5]
Характерная особенность полупроводниковых катализаторов состоит в том, что их каталитическая активность симбатно связана с величиной их дырочной электропроводности. Это может быть объяснено тем, что механизмы этих процессов имеют общую основу. Поатому изучение механизма электропроводности указанных полупроводников дает непосредственные сведения о механизме самих каталитических процессов, совершающихся на их поверхности. [6]
Активные центры таких полупроводниковых катализаторов в ряде случаев, вероятно, представляют собой однократно ионизированные атомы металла, например Zn, и, следовательно, электронные процессы, которые приводят к этой форме атома, несомненно, играют существенную роль. Работы, проводимые в этой области теории активных ансамблей, непосредственно примыкают к исследованиям в области полупроводникового катализа. [7]
Углеводород сорбируется на полупроводниковых катализаторах слабо - обратимо и прочно - необратимо. Прочно на поверхности закрепляется лишь небольшая доля от сорбированного углеводорода. Соотношение слабой и прочной адсорбции зависит от температуры и химического состава катализатора. [8]
Каталитические реакции на полупроводниковых катализаторах весьма часто проводятся в области столь высоких температур ( 400 - 500 С), что участие примесных электронов в электропроводности полупроводников невелико. [9]
Каталитические реакции на полупроводниковых катализаторах весьма часто проводятся в области столь высоких температур ( 400 - 500 С), что участие примесных электронов в электропроводности полупроводников невелико. [10]
В этой теории рассматривается полупроводниковый катализатор, представляющий собой идеальный кристалл, образованный ионами с оболочкой инертного газа. При отличной от абсолютного нуля температуре в зоне проводимости такого кристалла имеются электроны, обеспечивающие свободные валентности на его поверхности. Эти электроны участвуют в образовании связей адсорбирующихся частиц с поверхностью кристалла. Возможны три типа связи. [11]
В этой теории рассматривается полупроводниковый катализатор, представляющий собой идеальный кристалл, образованный ионами с оболочкой инертного газа. При отличной от абсолютного нуля температуре в зоне проводимости такого кристалла имеются электроны, обеспечивающие свободные валентности на его поверхности. Эти электроны участвуют в образовании связей адсорбирующихся частиц с поверхностью. [12]
В этой теории рассматривается полупроводниковый катализатор, представляющий собой идеальный кристалл, образованный ионами с оболочкой инертного газа. При отличной от абсолютного нуля температуре в зоне проводимости такого кристалла имеются электроны, обеспечивающие свободные валентности на его поверхности. Эти электроны участвуют в образовании связей адсорбирующихся частиц с поверхностью кристалла. Возможны три типа связи. [13]
В этой теории рассматривается полупроводниковый катализатор, представляющий собой идеальный кристалл, образованный ионами с оболочкой инертного газа. При отличной от абсолютного нуля температуре в зоне проводимости такого кристалла имеются электроны, обеспечивающие свободные валентности на его поверхности. Эти электроны участвуют в образовании связей адсорбирующихся частиц с поверхностью. [14]
 |
Начальные стадии окисления толуола, этилбензола. [15] |
Страницы: 1 2 3 4