Поверхностно-активный катион
Cтраница 5
Один из возможных случаев подобной неоднородности отражен на рис. 12.6. Он отвечает экспериментальным условиям, когда различия в нулевых точках граней разных символов настолько велики, что при данном потенциале электрода заряды этих граней оказываются не только неодинаковыми по значению, но и обратными по знаку ( хотя эквипотен-циалыюсть поверхности сохраняется); например, верхний участок заряжен положительно, а нижний - отрицательно. Если, кроме того, в растворе присутствуют как поверхностно-активные анионы, так и поверхностно-активные катионы, то внутренняя обкладка плотной части двойного слоя на верхнем участке будет заряжена отрицательно, а на нижнем - положительно. Поскольку ионы находятся в непрерывном тепловом движении, то в промежутке между двумя крайними структурами двойного слоя должна возникнуть узкая область, в которой вообще будет отсутствовать диффузный слой. Таким образом, кристаллографическая микронеоднородность может приводить к радикальным изменениям в структуре двойного электрического слоя, что должно сказываться на течении всех процессов, связанных со строением двойного слоя. [61]
 |
Совмещение двух крайних структур двойного электрического слоя в результате кристаллографической неоднородности поверхности металла и адсорбции поверхностно-активных ионов. [62] |
Один из возможных случаев подобной неоднородности отражен на рис. 12.6. Он отвечает экспериментальным условиям, когда различия в нулевых точках граней разных символов настолько велики, что при данном потенциале электрода заряды этих граней оказываются не только неодинаковыми по значению, но и обратными по знаку ( хотя эквипотен-циальность поверхности сохраняется); например, верхний участок заряжен положительно, а нижний - отрицательно. Если, кроме того, в растворе присутствуют как поверхностно-активные анионы, так и поверхностно-активные катионы, то внутренняя обкладка плотной части двойного слоя на верхнем участке будет заряжена отрицательно, а на нижнем - положительно. Поскольку ионы находятся в непрерывном тепловом движении, то в промежутке между двумя крайними структурами двойного слоя должна возникнуть узкая область, в которой вообще будет отсутствовать диффузный слой. Таким образом, кристаллографическая микронеоднородность может приводить к радикальным изменениям в структуре двойного электрического слоя, что должно сказываться на течении всех процессов, связанных со строением двойного слоя. [63]
Страницы: 1 2 3 4 5