Средняя длина - свободный пробег - электрон
Cтраница 3
В формулу проводимости металла (4.30), помимо средней длины свободного пробега электронов 1Э, входят концентрация п и скорость их хаотического движения иа. [31]
Это, в свою очередь, уменьшает среднюю длину свободного пробега электронов и повышает удельное сопротивление. [32]
При низких давлениях в разрядной камере ( когда средняя длина свободного пробега электрона больше размеров камеры в направлении вектора электрического поля) в определенных условиях может возникнуть особый вид высокочастотного пробоя, называемый вторичным электронным резонансом. Основной причиной пробоя является вторичная эмиссия электронов из стенок разрядной камеры. [33]
Для карбидов это приближение неприменимо из-за малой величины средней длины свободного пробега электронов ( 1 - 50 А в зависимости от состава и вида образца - массивный или тонкая пленка), а при низких температурах и сами фононы имеют большие длины волн. В итоге авторы работ [30, 31] полагают, что основной механизм, ответственный за низкую решеточную теплопроводность, - это рассеяние фононов электронами. [34]
Формула (42.12) в соответствии с опытом дает значения средней длины свободного пробега электрона, на два порядка превышающие период кристаллической решетки. [35]
Выражения для скорости электрон-фононного рассеяния получены в предположении, что средняя длина свободного пробега электронов сравнима с длиной волны фонона или больше ее. Как указывал Займан [264], отсюда следует, что электрон должен испытать воздействие всех фаз решеточной волны, поскольку только тогда будут выполнены условия применимости адиабатического приближения. [36]
При такой классификации плазмы удобно рассматривать три параметра: 1) средняя длина свободного пробега электронов Я; 2) ларморовский радиус электронов р и 3) характерная длина рассматриваемой области / с. В качестве параметра 1С можно выбрать, например, шкалу высот в атмосфере или то расстояние, которое может пройти электрон, прежде чем он отразится от магнитного зеркала. [37]
Сопоставив (44.14) с экспериментально полученными значениями подвижности, найдем, что средняя длина свободного пробега электрона равна 10 - Ч-10-8 м, что в 100 - 1000 раз больше расстояния между узлами кристаллической решетки металла. Причины этого будут выяснены в § 75.9, где будет рассмотрена квантовая теория проводимости металлов. [38]
В связи с этим значение удельной проводимости зависит в основном от средней длины свободного пробега электронов в конкретном проводнике. Тепловая скорость, в свою очередь, определяется структурой проводникового материала. Так, например, для чистых металлов с наиболее правильной кристаллической решеткой значения удельного сопротивления являются минимальными. [39]
Поскольку этот слой достаточно тонок, так что его толщина В меньше средней длины свободного пробега электрона в соответствующем веществе, он будет оказывать точно такое же влияние, как и обычный зазор; единственное различие будет заключаться в том, что высота той части потенциального барьера между двумя поверхностями, которая обусловлена влиянием сил изображения, будет теперь меньше в s раз, где е - диэлектрическая постоянная контактного слоя. Если силы изображения оказывают существенное влияние на суммарный скачок потенциальной энергии Ua, так что остальная его часть U % или U - Wb ( в случае металла) относительно мала, то присутствие слоя вещества в зазоре заметно увеличит его прозрачность и, таким образом, облегчит переход электронов из полупроводника в металл и обратно. [40]
Поскольку этот слой достаточно тонок, так что его толщина § меньше средней длины свободного пробега электрона в соответствующем веществе, он будет оказывать точно такое же влияние, как и обычный зазор; единственное различие будет заключаться в том, что высота той части потенциального барьера между двумя поверхностями, которая обусловлена влиянием сил изображения, будет теперь меньше в е раз, где е - диэлектрическая постоянная контактного слоя. Если силы изображения оказывают существенное влияние на суммарный скачок потенциальной энергии Ua, так что остальная его часть U или U b - Wb ( в случае металла) относительно мала, то присутствие слоя вещества в зазоре заметно увеличит его прозрачность и, таким образом, облегчит переход электронов из полупроводника в металл и обратно. [41]
 |
Блик-схема питания установки для электронно-лучевой сварки. [42] |
Для создания электронного луча требуется довольно глубокий вакуум, такой, чтобы средняя длина свободного пробега электронов была больше расстояния от катода, где они образуются, до свариваемого изделия. [43]
Для создания электронного луча требуется довольно глубокий вакуум, такой, чтобы средняя длина свободного пробега электронов была больше расстояния от катода, где они образуются, до свариваемого изделия. [44]
Для вывода рассмотрим два слоя металла, толщина каждого из которых равна средней длине свободного пробега электрона. За время тЯ / ы из одного слоя в другой переходит N1 / enSK электронов. [45]
Страницы: 1 2 3 4