Качество - диод
Cтраница 2
В качестве диодов для нелинейных ключей могут применяться кремниевые плоскостные щоды, и в частности кремниевые стабилитроны. [16]
В качестве диодов в полупроводниковых ИМС обычно используют транзисторы в диодном включении. В зависимости от схемы включения транзистора изменяются параметры диода. [17]
В качестве диодов в полупроводниковых ИС обычно используют транзисторы в диодном включении. В зависимости от схемы включения транзистора изменяются параметры диода. [18]
В качестве диодов Д1 и Д3 использованы селеновые вентили 7ГЕ350Ф, для которых / п50 - 10 - 6 а, гп30 ком. [19]
В качестве диода Д2 использован селеновый вентиль 5ГЕ200АФ, для которого / п 50 - 10 - 6 а, гп 50 ком. [20]
В качестве диодов можно использовать переходы, эквивалентные транзисторным переходам коллектор - база или эмиттер-база. [21]
В качестве диодов детектора в ИС использованы коллекторные переходы транзисторов; их эмиттерные переходы замкнуты накоротко. [22]
В качестве диодов записи и считывания в регистре могут использоваться интегральные диодные сборки, которые в ряде случаев позволяют уменьшить размеры регистра. [23]
В качестве диодов D могут быть использованы или вакуумные с достаточно малыми емкостями и малым внутренним сопротивлением ( лучше всего так называемые разрядные диоды, разработанные для контуров строчной развертки в телевизионных приемниках), или высокочастотные кремииевые плоскостные выпрймители. Кремниевые и германиевые точечные диоды непригодны из-за малого обратного сопротивления ( ом. [24]
 |
Корпус микросхемы МАХ724.| Корпус диода MBR1645. [25] |
В качестве диода VD разработчики рекомендуют применить диод Шоттки MBR745 или 1N5820 - 1N5825 производства фирмы Motorola. [26]
 |
Интегральный диод. [27] |
Обычно в качестве диодов используют целиком транзисторные структуры. На рис. 12.34 показаны пять возможных вариантов диодных соединений транзисторной структуры. [28]
Почему в качестве диодов интегральных микросхем используют транзисторные структуры. [29]
Таким образом, качество струйных резисторных диодов при ламинарном режиме течения оказывается невысоким. [30]
Страницы: 1 2 3 4