Качество - диод
Cтраница 3
Величина К называется качеством диода и характеризует эффективность работы диода. [31]
В биполярных микросхемах в качестве диодов широко используют транзисторы в диодном включении. [32]
 |
Полевой транзистор в качестве стабилизатора тока.| Источник опорного напряжения на биполярных транзисторах. [33] |
Транзистор Tj используется в качестве диода. [34]
В настоящее время в качестве диодов, включаемых в цепь обратной связи ключа ( особенно в интегральных схемах), используются диоды Шоттки ( см. § 3 - 4), у которых отсутствует накопление, а значит, и рассасывание неосновных носителей в базе. Поэтому ненасыщенные ключи с диодами Шоттки полностью описываются приведенными выше формулами и обладают максимальным быстродействием. Ключи с диодами Шоттки в цепи нелинейной обратной связи называют транзисторами Шоттки. В случае кремниевых транзисторов относительно малые прямые напряжения диодов Шоттки ( 0 3 - 0 5 В по сравнению с 0 7 - 0 8 В на переходах) позволяют исключить источник смещения Еф, так как при прямом напряжении 0 3 - 0 5 В на коллекторном переходе инжекция практически отсутствует и насыщения не наступает. [35]
Катод-сетка лампы используется в качестве диода. Резистор Rg выполняет роль нагрузки детектора. Конденсатор Cg является блокировочным, шунтирующим сопротивление нагрузки Rg по высокой частоте. [36]
Стабилитрон используется одновременно в качестве диода защиты стабилизатора от перегрузок и в качестве источника опорного напряжения, с которым сравнивается выходное напряжение стабилизатора. [37]
Это налагает дополнительные требования на качество диодов: обратное сопротивление должно быть достаточно большим. [38]
В целях повышения ответствеиности за качество диодов было бы целесообразно поручить изготовление р-п переходов заводу-изготовителю полупроводникового материала с тем, чтобы завод Электровыпрямитель изготовлял диоды. При этом будут исключены потери германия и кремния. [39]
Эмиттерный переход транзистора 7 используется в качестве диода, преобразующего модулированный ВЧ ( ПЧ) сигнал в низкочастотный, а коллекторный переход - в качестве диодного детектора схемы АРУ. [40]
 |
Принципиальные схемы, структуры и диаграммы распределения зарядов неосновных носителей в пяти вариантах диодных включений переходов транзистора ИС. [41] |
В вариантах а и б в качестве диода используется переход эмиттер - база. В вариантах виг диоды образуются за счет коллекторного перехода. В варианте д используются параллельно включенные эмиттерный и коллекторный переходы. [42]
Чем меньше постоянная RC, тем выше качество диода. [43]
Выбираем схемы включения транзисторов, используемых в качестве диодов в цепи обратной связи и в цепи смещения. Диод в цепи обратной связи должен обладать возможно меньшим временем рассасывания, низким напряжением отпирания и малым прямым сопротивлением. [44]
В схеме рис. 156, в в качестве усилительного диода желательно использовать силовые диоды, так как они обладают большим временем жизни. [45]
Страницы: 1 2 3 4