Cтраница 1
Качество теплоотвода в диоде характеризуется параметром эксплуатационного режима - тепловым сопротивлением RT - ( Упер-То) / Р0, под которым подразумевз-ется отношение разности температур электрического перехода и корпуса диода к мощности, рассеиваемой на диоде в установившемся режиме. Тепловое сопротивление характеризует необходимый перепад температур перехода и корпуса для отвода в окружающую среду 1 Вт мощности, выделяемой в электрическом переходе диода. Уменьшение Rr позволяет при заданном значении Р0 увеличить рабочую температуру перехода или при известном перепаде температур Тпер - Т0 повысить прямые и обратные токи и напряжения диода. [1]
В качестве теплоотвода для мощных транзисторов могут использоваться специально сконструированные радиаторы или конструктивные элементы узлов и блоков. При этом должна предусматриваться специальная обработка мест крепления транзисторов. [2]
В качестве теплоотвода рекомендуется использовать черненный дюралюминий толщиной 2 - 2 5 мм и площадью 50 см2 на один диод. [3]
![]() |
Схемы последовательного включения транзисторов. [4] |
В качестве теплоотвода для мощных транзисторов могут использоваться специально сконструированные радиаторы или конструктивные элементы узлов и блоков. При этом должна предусматриваться специальная обработка мест крепления транзисторов. [5]
В качестве теплоотводов применяют ребристые радиаторы из красной меди или алюминия, которые надеваются на приборы. С повышением температуры снижается не только допустимая мощность рассеяния многих типов полупроводниковых приборов, но и допустимые напряжения и токи переходов, что учитывают при проектировании схем с широким температурным диапазоном работы. [6]
В качестве теплоотвода для мощных СВЧ диодов могут использоваться специально сконструированные радиаторы или конструктивные элементы узлов и блоков. При этом должна предусматриваться специальная обработка мест крепления диодов. [7]
В качестве теплоотвода триодов служит шасси усилителя. [8]
В качестве теплоотвода транзисторов служит шасси усилителя. [9]
Величины прямых токов зависят, конечно, от площади структуры качества теплоотвода. В настоящее время разработаны диоды Шоттки j прямые токи порядка 50 а. [10]
Значения прямых токов зависят, конечно, от площади структуры и качества теплоотвода. В настоящее время разработаны дноды Шоттки на прямые токи порядка 50 А. [11]
Простейший способ отвода тепла из плоской конструкции состоит в использовании внешнего проводящего слоя в качестве теплоотвода. Другой способ, который пригоден при обычных компонентах ( как это видно из кривых теплообмена), состоит в обеспечении легкого доступа ко всем отдельным компонентам. [12]
Величина мощности, генерируемой диодами Ганна в непрерывном режиме, зависит не только от качества материала GaAs и схемы, в которую они включены, но и от качества теплоотвода. [13]
Напряжение теплового пробоя существенно зависит от конструкции диода, которая определяет условия отвода тепла от перехода. Качество теплоотвода определяется тепловым сопротивлением - Rt, показывающим, на сколько градусов повысится температура перехода Д / при повышении рассеиваемой мощности на АР. [14]
В качестве теплоотвода может быть использован пинцет с медными ллоскими губками. [15]