Cтраница 2
![]() |
Зависимость максимальной мощности, рассеиваемой транзистором П216, от площади теплоотвода и температуры окружающей среды. [16] |
В случае параллельного соединения полупроводниковых приборов и расположения их на одном теплоотводе необходимо предусматривать равномерное распределение тепла по всему теплоотводу. В качестве теплоотвода может использоваться и часть конструкции блока или узла, при этом должна предусматриваться специальная обработка посадочных мест под полупроводниковые приборы. [17]
На рис. 16.7 показан пример крепления полупроводникового прибора к теплоотводу. В качестве теплоотводов можно использовать металлические шасси и стенки блоков. [18]
Пайка выводов рекомендуется не ближе 3 мм от корпуса в течение не более 3 с паяльником мощностью 50 Вт с теплоот-водом между корпусом диода и местом пайки при температуре припоя не свыше 260 С. В качестве теплоотвода может применяться пинцет с плоскими медными губками шириной и толщиной не менее 2 мм. Допускается непосредственная пайка к корпусу диода при условии, что его температура не будет превышать 70 С. [19]
Пайку выводов рекомендуется производить с использованием теплоотвода при температуре припоя не свыше 260 С в течение не более 3 с. В качестве теплоотвода может быть использован пинцет с медными плоскими губками. [20]
В качестве теплоотвода может быть использован пинцет с медными ллоскими губками. [21]
Для нормальной эксплуатации каскадные микрохолодильники требуют отвода тепловой мощности, незначительно превышающей ( на величину холодопроизводи-тельности) потребляемую электроэнергию. Поэтому в качестве теплоотвода используются конструкционные детали устройств ( содержащих охлаждаемые приборы и элементы), к которым напаиваются или приклеиваются миниатюрные и микрохолодильники. [22]
Для нормальной эксплуатации каскадные микрохолодильники требуют отвода тепловой мощности, незначительно превышающей ( на величину холодопроизводи-тельности) потребляемую электроэнергию. Поэтому в качестве теплоотвода используются конструкционные детали устройств ( содержащих охлаждаемые приборы и элементы), к которым напаиваются или приклеиваются миниатюрные и микрохолодильники. [23]
Рекомендуется покрывать теплоотвод ( радиатор) черной матовой краской или зачернять его каким-либо другим способом для увеличения эффективности отвода тепла за счет излучения. В ряде случаев в качестве теплоотвода выгодно использовать металлические шасси и стенки блоков аппаратуры. Принудительный обдув теплоотвода, помещение его в проточную жидкость ( вода, масло) значительно улучшает охлаждение транзисторов и позволяет снимать с них большие мощности. Для улучшения циркуляции воздуха внутри аппаратуры в шасси следует делать отверстия, а в стенках блоков жалюзи. [24]
Естественное охлаждение прежде всего предусматривает использование мощных полупроводниковых приборов с теплоотводом. Специальный теплоотвод, если в качестве теплоотвода не использована конструкция радиоэлектронной аппаратуры, имеет достаточно большой вес и габариты. [25]
Припой должен иметь температуру плавления не выше 150 С. При пайке обязательно применять теплоотвод. В качестве теплоотвода обычно используются плоскогубцы, которыми следует держать припаиваемый вывод. Желательно применение экранов, защищающих транзистор и выводы от паров, дыма и брызг паяльного флюса. С этой точки зрения не рекомендуется применение жидких флюсов и флюсов, активно действующих на металл и покраску корпуса транзистора. [26]
Пайка выводов рекомендуется с использованием теплоот-вода. В качестве теплоотвода может быть использован пинцет с медными плоскими губками шириной не менее 2 мм. [27]
![]() |
Конструктивная схема высокочастотного ( дрейфового. [28] |
Наружные выводы от коллектора и эмиттера изолированы от корпуса стеклянными изоляторами, спаянными с корпусом. От проникновения влаги кристалл защищен пропиточным компаундом. Крышка, приваренная к корпусу триода, защищает кристалл от механических повреждений и облегчает отвод тепла. В качестве теплоотвода используются корпус прибора и металлический каркас, на котором он крепится. Более мощные триоды снабжаются радиаторами с хорошо развитой поверхностью. Переход к высокочастотным триодам был связан с созданием новой конструктивной модификации, схематически представленной на рис. 2.20, а. Основу триода составляет монокристалл германия р-типа. Этот слой выполняет функцию базы. [29]
![]() |
Схема каскада мощного усиления, допускающая соединение с шасси корпусов обоих транзисторов. [30] |