Качество - транзистор
Cтраница 1
Качество транзистора характеризуется его способностью усиливать мощность колебаний. Однако, как показывают исследования, с ростом частоты коэффициент усиления по мощности падает. Одной из причин этого является увеличение обратной проводимости Yi2 с повышением частоты, что нарушает устойчивость усиления. Если обратную проводимость скомпенсировать с помощью внешней цепи обратной связи, то эта причина отпадает. [1]
Качество транзисторов характеризуется их способностью усиливать мощность входных сигналов. Для обеспечения максимального усиления по мощности реактивные составляющие входной и выходной прово-димостей должны быть скомпенсированы, а проводимость нагрузки выбрана равной активной проводимости транзистора. [2]
 |
Устройство полупроводниковых микросхем резистора ( а, конденсатора ( б, транзистора ( в. [3] |
Качество транзисторов, полученных по такой технологии, довольно высоко и не отличается от качества типовых пленарных транзисторов. Подобным образом изготавливают также планарные диоды. [4]
Качество транзисторов характеризуется их способностью усиливать мощность входных сигналов. Для обеспечения максимального усиления по мощности реактивные составляющие входной и выходной прово-димостей должны быть скомпенсированы, а проводимость нагрузки выбрана равной активной проводимости транзистора. [5]
 |
Схема измерения обратного тока коллекторного перехода ( а и примерная характеристика транзисторов типа П201 - П203 ( б.| Схема измерения начального. [6] |
Первоначально качество транзистора контролируют при измерении тока проводимости специализированными устройствами или по простейшим испытательным схемам. [7]
Оценка качества транзистора, его характеристики при работе на малом сигнале заключаются в определении параметров при малых приращениях токов и напряжений относительно заданных постоянных смещений на выводах транзистора. В случае, если приращения токов и напряжений достаточно малы, связь между ними приближается к линейной. [8]
В качестве транзисторов применяются комбинации из полупроводников п - и р-типов, Ge или Si с р - и п-добав-ками. [9]
В качестве транзистора Т2 выбираем высокочастотный кремниевый транзистор К. [10]
Поскольку оценка качества транзистора неполна без оценки его шумовых качеств, приведем в заключение нормализованные частотные кривые коэффициента шума для различных сочетаний сопротивления базы и эмиттера. [11]
Для улучшения качества транзистора может быть применен двухслойный коллектор, состоящий из высокоомного слоя, примыкающего к базе, и низкоомного, примыкающего к контакту. Так - появились два типа триодов-эпитаксиальный и ламинарный. [12]
 |
Схема измерения обратного тока коллекторного перехода.| Схема измерения начального тока коллектора.| Схема приближенного определения коэффициента усиления транзистора по току р. [13] |
Первоначальный контроль качества транзисторов осуществляют путем измерения токов проводимости с помощью специализированных устройств ( испытатель параметров плоскостных триодов типа Л2 - 1, измеритель параметров плоскостных триодов типа Л2 - 2, измеритель параметров мощных транзисторов типа Л2 - 13, измеритель параметров маломощных транзисторов типа Л2 - 18, измеритель параметров полупроводниковых приборов типа Л2 - 23 и др.) или простейших испытательных схем. [14]
Для контроля качества выпускаемых транзисторов достаточно измерять лишь несколько параметров. Желательно выбирать для контроля те параметры, значения которых необходимы при инженерном расчете практических схем. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5