Качество - транзистор
Cтраница 2
Благодаря такой связи и высоким ключевым качествам транзистора блокинг-генератор, построенный даже на маломощных транзисторах, может генерировать мощные импульсы. [16]
 |
Схемы проверки исправности транзисторов.| Схема проверки качества транзисторов. [17] |
Более полную информацию о качестве транзистора можно получить, проверяя его с помощью батареи и миллиамперметра. [18]
Выражение под корнем называют фактором качества транзистора Q. Чтобы определить, какие электрофизические параметры полупроводникового материала, геометрические размеры и другие факторы влияют на / max подставим в подкоренную часть (3.30) входящие в нее величины. [19]
Эта структура может выступать в качестве транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов. [20]
 |
Принципиальная схема шестикаскадного УГС на транзисторах различного типа проводимости. [21] |
Во втором варианте усилителя в качестве транзисторов Т и TZ применены экспериментальные отечественные кремниевые пленарные транзисторы. [22]
Полный комплекс указанных параметров позволяет оценить качество транзисторов и провести расчет любой электронной схемы. [23]
Этот коэффициент является основным параметром, характеризующим качество транзистора. [24]
Обычно при наличии поля в области базы качество транзистора улучшается. Мы уже обнаружили, что экспоненциальное распределение примеси является оптимальным распределением, обеспечивающим максимальное поле в области базы. Посмотрим теперь, какое максимальное поле и падение напряжения возможно осуществить в области базы для этого распределения. [25]
 |
Конструкции мощных триодов. [26] |
Эти явления устраняются до некоторой степени улучшением качества транзистора благодаря применению материала с большой диффузионной длиной, уменьшению толщины базы, повышению эффективности эмиттера. В-третьих, существенным фактором, влияющим на работу мощного триода, является большое выделение мощности в коллекторном переходе, которое вызывает его разогрев. Чтобы температура транзистора при этом не превысила допустимую для примененного материала, требуется принять меры по улучшению теплоотвода или применить принудительное охлаждение перехода. [27]
В справочник включены как важнейшие параметры, характеризующие качество транзистора и необходимые для расчета схем, максимальные гарантируемые значения обоих токов, полученные на основании анализа их статистического распределения. [28]
Постоянная времени г ( рк коллекторной цепи характеризует качество транзистора как высокочастотного элемента. Эта величина входит в выражения для всех ( / - параметров, которые при необходимости с ее помощью могут быть рассчитаны. [29]
Поскольку успех всей космической экспедиции может зависеть от качества одного-единственного транзистора, то надежность этого элемента становится решающим, а стоимость - второстепенным фактором. В случае же АСУ стоимость важна, ибо ее обоснование в отличие от космических проектов покоится целиком на экономическом фундаменте. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5