Cтраница 4
![]() |
Источники тока с заземленными нагрузками, не требующие плавающего источника питания. [46] |
Несовершенство этого источника тока ( не будем принимать во внимание ошибки ОУ: / см, 17СДВ) проявляется лишь в том, что небольшой базовый ток может немного изменяться в зависимости от напряжения UKJ ( предполагаем, что операционный усилитель не потребляет входной ток); этот недостаток - небольшая плата за возможность использования заземленной нагрузки; если в качестве транзистора Т1 использовать составной транзистор Дарлингтона, то погрешность будет существенно уменьшена. Погрешность возникает в связи с тем, что операционный усилитель стабилизирует эмиттерный ток, а в нагрузку поступает коллекторный ток. Если в этой схеме вместо биполярного использовать полевой транзистор, то проблема будет полностью решена, так как затвор полевого транзистора тока не потребляет. [47]
Импульсные формирователи тока рекомендуется применять с сердечниками, выбранными для МПТ, по схеме на рис. 3 - 10 при условии, что число витков обмотки шсч w3 - - 1 и что после изготовления в ИФТ оставляется отверстие для нанесения нужного числа шин при монтаже схемы. В качестве транзисторов для такого типа формирователей в настоящее время наиболее подходящими являются 2Т608Б ( К. По выбранным матрицам определяют параметры / вых. [48]
Обратный ток коллектора ГКБО-ЭТО неуправляемый ток через коллекторный р-п переход, создающийся неосновными носителями тока транзистора. Он характеризует качество транзистора: чем численное значение параметра ГКБО меньше, тем выше качество транзистора. Транзисторы с большими значениями IKEO в работе неустойчивы. [49]
Работу транзистора характеризует множество параметров. Первый из них характеризует качество транзистора, второй - его усилительные свойства. Если параметры находятся в норме и нет их текучести ( самопроизвольного изменения в течение 5 - 10 с), то транзистор можно считать вполне работоспособным. [50]
В этом случае в качестве транзистора Г2 целесообразно применить составной транзистор. [51]
![]() |
Схема для снятия характеристик транзистора. [52] |
Параметры транзисторов являются величинами, характеризующими их свойства. С помощью параметров можно сравнивать качество транзисторов, решать задачи, связанные с применением транзисторов в различных схемах, и рассчитывать эти схемы. [53]
![]() |
Импульсы при регулировке коэффициента деления делителя. [54] |
Результаты проверки режимов по постоянному и переменному току должны соответствовать данным, приведенным в техническом описании. В случае отличия режимов от приведенных проверяется качество транзисторов. [55]
Дополнительный ускоряющий высокочастотный транзистор нужно подбирать с учетом этого неравенства. Экспериментальные исследования показывают, что при использовании в качестве ускоряющего транзистора П16Б длительность фронта и минимальная длительность импульса блокинг-генератора на транзисторе П201 уменьшаются в 2 - 3 раза. [56]
Широко применяются комбинированные каскодные усилители на биполярных и полевых транзисторах. На рис. 6.37 приведена схема аскода, где в качестве транзистора Т использован МДП - транзистор, включенный с общим истоком, входное сопротивление кото-рого очень велико. Это позволяет получить хорошие частотные свойства каскода. [57]
Знание всех трех величин позволяет определить ряд параметров, характеризующих качество транзистора. [58]
![]() |
Предусилитель с невысоким входным сопротивлением. [59] |
Мом, но при этом подбор транзисторов будет затруднен. В процессе настройки усилителя особое внимание должно быть обращено на качество транзисторов. [60]