Cтраница 1
Дебаевская длина представляет собой эффективный свободный пробег между столкновениями заряженных частиц, обусловленными дально-действующими ( или кулоновскими) силами. Она определяется по формуле RD VkT / Snnee2, где k - постоянная Больцмана, Т - температура в р К, пе - плотность электронов, е - заряд электрона. [1]
Дебаевская длина убывает с ростом концентрации. [2]
Дебаевская длина оказывается настолько больше расстояния ближнего взаимодействия Ъ0, что рассеяние осуществляется в основном за счет отклонения на малые углы. [3]
Дебаевская длина LD является характеристическим параметром области пространственного заряда. Как правило, LD значительно меньше, чем d; если же это не так, то простая одномерная диаграмма, иллюстрирующая область пространственного заряда, уже не будет справедливой. Это следует иметь в виду при использовании пленок для исследования поверхности. Необходимость решать двумерное уравнение Пуассона существенно осложняет задачу. Если d5LD, приходится решать двумерную задачу. [4]
Дебаевская длина меньше характерного размера I и спектр флуктуации определяется колебаниями экранирующих зарядов. [5]
В ионосфере дебаевская длина может иметь порядок нескольких сантиметров; следовательно, если скорость тела превышает звуковую ( или тепловую) скорость ионов, то могут возникнуть условия для образования ударной волны. [6]
D - дебаевская длина; g - расстояние исток - сток; W - ширина канала. [7]
Из определения дебаевской длины ясно, что это параметр макроскопический, не зависящий от действительных размеров электронов или от дробления электронов на части. Нетрудно сделать следующие заключения. Во-первых, вследствие ограниченности кинетической энергии частиц сколько-нибудь заметное разделение зарядов на расстояниях, превышающих дебаевскую длину или даже приближающихся к ней, в плазме невозможно. При исследовании электростатического поля у границы плазмы, например вблизи электрода в газовом разряде, обнаруживается область, для которой условие квазинейтральности не выполняется ( частицы под действием поля ускоряются), а также область, в которой условие электрической нейтральности почти выполняется и среда может рассматриваться как плазма. Таким образом, наложение на плазму внешнего электростатического поля приводит к появлению граничного слоя и переходной области, толщина которой порядка дебаевской длины. Следовательно, при наличии каких-либо внешних граничных условий толщина плазмы должна быть по крайней мере порядка нескольких дебаевских длин; только в этом случае можно говорить о плазме. При этом предполагается, что плазма в некотором смысле представляет собой непрерывную среду. Последнее предположение имеет смысл только в том случае, если число частиц в дебаевской сфере ( радиусом 1D) достаточно велико. [8]
Здесь Ц - дебаевская длина, вычисленная для равновесной концентрации носителей пд в полупроводнике. [9]
Таким образом, дебаевская длина является пространственным масштабом макроскопического разделения зарядов в плазме и в то же время характеризует максимальное расстояние, на котором сказывается кулоновское взаимодействие между отдельными частицами. На расстоянии меньше дебаевского заряженные частицы чувствуют присутствие других отдельных заряженных частиц, на больших расстояниях - непрерывное зарядовое облако. Дебаевская длина служит границей между явлениями макроскопического и микроскопического разделения зарядов. С другой стороны, рассмотрение одного или другого явления имеет смысл лишь в соответствующей области. [10]
Выражение (5.12) называется дебаевской длиной экранирования, физический смысл которой состоит в том, что именно в области, характеризуемой расстоянием ID от поверхности, изменяются поле, потенциал, концентрация носителей и изгиб энергетических зон. Другими словами, область возникновения избыточного пространственного заряда, который экранирует внешнее поле, ограничивается дебаевской длиной экранирования, и величина / о характеризует расстояние, на котором в данном кристалле восстанавливается нейтральность. Как мы уже отмечали, нет принципиальной разницы в рассмотрении явлений такого рода для полупроводников и металлов. Следовательно, в металлах также существует эффект экранирования. Однако оценка, произведенная для металла по (5.12), приближенная, хотя бы потому, что на длине экранирования в металлах могут не соблюдаться условия сильного поля. [11]
Выражение (5.14) называется дебаевской длиной экранирования, физический смысл которой состоит в том, что именно в области, характеризуемой расстоянием / д от поверхности, изменяются поле, потенциал, концентрация носителей и изгиб энергетических зон. Другими словами, область возникновения избыточного пространственного заряда, который экранирует внешнее поле, ограничивается дебаевской длиной экранирования, и величина / д характеризует расстояние, на котором в данном кристалле восстанавливается нейтральность. Как мы уже отмечали, нет принципиальной разницы в рассмотрении явлений такого рода для полупроводников и металлов. Следовательно, в металлах также существует эффект экранирования. Однако оценка, произведенная для металла по (5.14), приближенная, хотя бы потому, что на длине экранирования в металлах могут не соблюдаться условия сильного поля. [12]
Выражение (5.12) называется дебаевской длиной экранирования, физический смысл которой состоит в том, что именно в области, характеризуемой расстоянием ID от поверхности, изменяются поле, потенциал, концентрация носителей и изгиб энергетических зон. Другими словами, область возникновения избыточного пространственного заряда, который экранирует внешнее поле, ограничивается дебаевской длиной экранирования, и величина / о характеризует расстояние, на котором в данном кристалле восстанавливается нейтральность. Как мы уже отмечали, нет принципиальной разницы в рассмотрении явлений такого рода для полупроводников и металлов. Следовательно, в металлах также существует эффект экранирования. Однако оценка, произведенная для металла по (5.12), приближенная, хотя бы потому, что на длине экранирования в металлах могут не соблюдаться условия сильного поля. [13]
Если ТякТэ, то дебаевская длина D определяется ионной температурой плазмы. В случае равновесной ( изотермической) плазмы ТяТаТл значения D по формулам (20.34) и (20.30) совпадают. [14]
Длина d носит название дебаевской длины. [15]